三星开始量产512GB eUFS 3.1芯片，写入速度超1.2GB/s

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三星、海力士、镁光三家企业拥有全世界80%以上的闪存生产能力，尤其是三星主导了闪存行业的定价，对于大部分旗舰手机来讲，都会标配三星闪存。

　　3月17日消息，根据国内媒体报道，三星正式对外宣布开始量产512GB eUFS3.1闪存，可以用户智能手机和平板，根据官方介绍，全新的512GB eUFS3.1闪存较上代写入速度提升200%，达到了1200mb/s，而上一代仅为410mb/s。

　　根据三星介绍，新的eUFS3.1闪存还将有128G和256G容量，同时三星还透露，位于中国西安的X2线已经在本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产。

　　在已经到来的5G时代，以三星为代表的eUFS3.1可以突破手机读写速度，带来更高效的操作体验，同时继续引领手机行业迈向更高的价位段。

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