能否达到理论上的100万次？EEPROM写入次数实测！

人艰不拆了

理论上100万次

现在写了70多万次


上次写到100万次了，但是时间不够了，只能断电，结果，写入的次数记录竟然消失了
这次又重新开始，总计写了250余万次，这才出现错误！


出错，也不是总是写不进入，而是读写不能保证了，就是说数据写入已经不安全了
实际上再写入几万次也不会有问题，但是没准下一次就失败，我想很多固态硬盘也是这个道理吧


进入不稳定状态了，就算到了写入极限


这次断电，然后修改程序，就没有消失数据，还保留着呢


加了一个写入时间，想看看，是不是越后来，写入速度越慢，实际上不是这样的
写入速度似乎没什么区别

szb314

频繁读写,,和间隔性读写可能还是有差别的,,有的写几千次可能就挂了,,如果做产品千万不要随便挑战它的极限:lol:

人艰不拆了

szb314 发表于 2020-6-8 08:43
频繁读写,,和间隔性读写可能还是有差别的,,有的写几千次可能就挂了,,如果做产品千万不要随便挑战它的极限:l ...

哈哈，这个还好，速度慢，我就是喜欢挑战底线！:titter:

szb314

人艰不拆了 发表于 2020-6-8 08:44
哈哈，这个还好，速度慢，我就是喜欢挑战底线！

自己玩无所谓了,电子的东西老化和时间也有关,不能光看次数,,电脑放大半年不用可能就开不了机了,,曾经好好的电脑因为装修,放了个把月,主板就挂了,,,u盘什么的大家肯定都遇到过短命的吧,那些号称读写寿命可能还要长:lol:

shaohabbit

赞一个。这个次数应该算很多了。全盘读写一般不会这么多。

jjbboox

有点冗余在工业设计上是很正常的。
反正也不会有数量级上的差别，厂商只能包正在承诺的范围内产品不会出现异常。

没想到真的有人回去测试，楼主真够闲的呀！不过确实很想知道，也算有所收获了。

人艰不拆了

jjbboox 发表于 2020-6-8 08:55
有点冗余在工业设计上是很正常的。
反正也不会有数量级上的差别，厂商只能包正在承诺的范围内产品不会出现 ...

穷的只剩下时间了，还剩几十万年的时间，像摆个地摊卖点换钱花:titter:

la45088d1

写后读这种校验其实是小儿科，没有啥意义。
一般测试是在1M次写入后，在指定温度下，数据保存时间一定的情况下，得到它的极限寿命。
写入达到寿命指标后，并不一定会导致读取错误，可能一切如常，但是数据保存时间大为降低，达到理论值。超过寿命指标的写入也同样可能不会读取出错，但是数据保持时间就更短了。比如今天写了个0，明天读出来就变成了1.今天下载的程序可以运行，明天就不行了。
写入后立即校验不代表之后校验也依然是正确的，但是恰好，对于存储设备，我们要的就是这种可靠性。

飞菜鸟

szb314 发表于 2020-6-8 08:50
自己玩无所谓了,电子的东西老化和时间也有关,不能光看次数,,电脑放大半年不用可能就开不了机了,,曾经好好 ...

由于存放而损坏的原因就太复杂了，不能一概而论。

wolegequ2015

上个月测了一次，250地址写入0xFF，00算一个循环，大约600万次，本来想着8点开始，12点看到结果睡觉，结果两个晚上熬到1点都没坏
到了后面，几百W次后偶尔会出现错误，接近600W就差不多完全坏了，类似下面的
cycle    写入FF后读取    写入00后读取
   1              0xBF                  00   2              0xFF                  00
...         
  80             0xBF                  00  90             0xFF                  00   
...
由于AT24C02手册上没看到测试标准，百科写的是美军标MIL-STD-883，太长看不下去，所以也没法对比常温短期大量读写和业界对这个产品测试要求的差异。
后来无聊又测了stc408AS的内部eeprom，100W次内没坏，后来也是一定次数后，偶尔会出错，不过我的程序有问题，都是出现错误，重复写一次，正确就继续跑下去。

ploestar

运气不好,几十次就坏了,STC号称10W次,碰过一次大概不到50次,完全损坏,什么也读不出来,全是0

人艰不拆了

ploestar 发表于 2020-6-9 09:53
运气不好,几十次就坏了,STC号称10W次,碰过一次大概不到50次,完全损坏,什么也读不出来,全是0 ...

哈哈，人品不行啊:titter:

bg4uvr

我10多年前测试过，反复写入一个24C02的同一个地址一字节的数据，共写入了1500多万次，单元失效了。

bg4uvr

记忆出错了，是1400多万次:lol:

sz1988

以前测过AT89C52,大概写了上万次没问题，然后我没耐心了...
13年试用LG的一款flash单片机，几十次后就不行了，太垃圾～

人艰不拆了

bg4uvr 发表于 2020-6-9 14:19
记忆出错了，是1400多万次

你这个耐用:titter:

40560335

你没试试STM8S003和103的烧写次数，看看他们是不是真的就只是把103打成了003卖而已？:lol:

whgf

这些测试已经说明可靠性非常高了，是现在有闪存没法比的。

603599910

这种测试很有作用,让我们知道EEPROM的最基本极限,像我调试都是改代码直接在线烧录看实际运行结果,经常担心芯片存储器是否会挂掉,现在看正常存储器调试是很难搞坏的,而在做产品时我们也知道最基本的存储极限,一旦存储频繁这需要考虑记录大致次数后更换存储地址不至于一条道走到黑.

maithon

eeprom还是耐用，flash就差远了。