DDR5时代即将开启,和DDR4 相比，有什么突飞猛进的优势？

ICMAX宏旺半导体

JEDEC固态技术协会正式发布了DDR5标准（JESD79-5），新的DDR5规范寻求在不降低通道效率的情况下提高内存性能，因此在最终规范中，单个DIMM被拆分为双通道，将不再是每个DIMM提供一个64位数据通道，而是每个DIMM提供两个独立的32位通道，并且每个通道的突发长度从8个字节(BL8)被提高至16个字节(BL16)，大大提高了速率和可靠性。

宏旺半导体了解到，与 DDR4 相比，DDR5 新增特征包括：突发长度增加到16拍，其出色的刷新/预充电方案可实现更高的性能，可提高通道利用率的双通道 DIMM 架构，可在DDR5 DIMM 上集成稳压器，可增加的存储区分组，以及可命令/地址片内端接电阻 (ODT）等多种优势。表1将 DDR5 和 DDR4 DRAM/DIMM 的功能进行了对比。除性能更强之外，DDR5 还引入多种 RAS 功能，以保持通道提速后的稳定性。

1. 用于补偿占空比失真的占空比调节器 (DCA)

占空比调节器支持主机通过调节 DRAM 内部的占空比来补偿所有 DQS（数据选通）/DQ（数据）引脚上的占空比失真。因此，DCA 功能巩固了读取数据的稳定性。

2. 强化 RAS 的片上 ECC

DDR5 DRAM 为每 128 位数据设置 8 位的 ECC 存储空间，使得片上 ECC 具有强大的 RAS 功能，可以保护存储器阵列免受单个数位错误的影响。

3. DRAM 获得 DQ 均衡以增加裕量

DDR5 DRAM 和 LPDDR5 DRAM 一样，也支持 WR 数据均衡。该功能在 DRAM 端为 WR DQ 打开了新的局面，不仅可以保护通道免受符号间干扰 (ISI) 的影响，增加裕量，还可实现更高的数据速率。

4. RD/WR 数据的循环冗余校验 (CRC)

DDR4 仅支持写数据使用的 CRC，而 DDR5 将 CRC 的适用范围扩展到读数据，从而提供额外保护，避免通道出错。

5. 内部 DQS 延迟监控

内部 DQS 延迟监控机制支持主机调整 DRAM 延迟来补偿电压和温度变化。以 DDR5 速度运行的主机可以使用此功能定期重新训练通道，补偿 DRAM 中延迟引起的 VT 变化。

作为DDR最新的规格，那DDR5究竟离我们还有多远？其实，对DDR5内存来说，平台的支持才是最大的问题，目前还没有正式支持DDR5内存的平台，AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽，支持DDR5内存，而14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持，部分品牌的官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。

所以当前PC市场上最主流的内存为DDR4内存。以宏旺半导体推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列为例，由专业研发团队自主开发设计，工作电压为1.2V，工作温度0℃至70℃，260 - pin SODIMM封装，2666 Mbps速率，拥有高容量、高性能等优势，以及可靠性保障，满足了当前PC、电脑、电视等主流市场的需求。