II-VI收购Ascatron和INNOViON，垂直整合SiC平台

waffle

来源: EEWORLD

II-VI表示收购将Ascatron与INNOViON，两项交易均计划于2020年底完成。

Ascatron在SiC和半导体行业拥有悠久历史经验，生产SiC外延晶片和器件，可用于各种高压电力电子应用。

INNOViON则是世界上最大的离子注入服务提供商，在全球范围内拥有30个注入器，支持最大300mm晶圆处理能力。该公司的工艺能够掺杂多种半导体，包括碳化硅，砷化镓，磷化铟和硅。

II-VI的首席执行官Vincent D. Mattera 表示：“Ascatron和INNOViON的技术平台补充了II-VI的SiC衬底，全球大规模晶圆制造的足迹以及6月获得GE许可的SiC器件技术。为了用我们先进的材料和组件为我们的现有客户提供服务，我们将结合这些功能，以实现世界上最先进的垂直集成150mm SiC技术平台。这建立在我们在SiC衬底上的深厚专业知识的基础上，并增加了先进的SiC外延，器件制造和模块设计，以满足对SiC电力电子产品快速增长的需求。”

SiC可用在电动汽车（EV），可再生能源，微电网，数据存储和通信电源等关键领域，其重要优势可颠覆电力电子市场。与基于硅的器件相比，SiC具有更高的效率，更高的能量密度和更低的系统级拥有成本。

II-VI表示，作为垂直整合战略的一部分，它正在利用其广泛的工程材料和光电设备技术平台以及其在全球的制造能力，通过开发高性能复合半导体来推动规模和创新。