【考古向】关于VCC、VEE、VDD、VSS、GND…

小陈兔

形如“VXX”的电压符号，其命名来自[IEEE Std 255-1963](1963年IEEE标准255-1963“半导体器件的字母符号”）。
标准定义了“v”和“V”是描述电压的数量符号，小写“v”表示瞬时电压（1.1节，1.1.1段），大写“V”表示最大、平均或RMS电压（1.1节，1.1.2段）。

1.2节开始定义数量符号的下标。大写下标字母表示DC值，小写的则表示AC值。电源电压显然是直流电压，因此其字母必须为大写。

该标准定义了11个后缀（字母），分别是：
·E，e：发射极
·B，b：基极
·C，c：集电极
·J，j：通用半导体器件端子
·A，a：阳极
·K，k：阴极
·G，g：门（栅）极
·X，x：线路中的通用节点
·M，m：最大（值）
·Min，min：最小（值）
·（AV）：平均（值）
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在1960th或更早，就出现了用BJT（双极型晶体管）实现的逻辑（电路），更具体地说是NPN，因为它速度更快。在当时，VCC指集电极电压，VEE指发射极电压。
VCC：Voltage of collector，集电极电压，常指正电源电压。
VEE：Voltage of emitter，发射极电压，常指负电源电压。

后来，出现了FET（场效应晶体管，单极型晶体管）实现的逻辑（电路），沿用了相同的命名方式。这时，Vdd指漏极电压，Vss指源极电压。
VDD：Voltage of drain，漏极电压，常指正电源电压。
VSS：Voltage of source，源极电压，常指负电源电压。
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【疑问】为什么选用VDD而不是VD来表示漏极电压？
【解释】（”电压“（此处特指”属性“而不是“值”）又叫”（静）电势差“），以下提到的”电压“均指电压值。电压符号“VAB”的惯例表示A和B之间的电压。电压是电路中一点相对于另一点测得的。
例如，VBE是基极和发射极之间的电压，接地端没有特定的字母表示。因此，使用重复字母的约定，例如，用VDD或VEE来指代相对于地面的点。
在这种情况下，使用单个字母可能导致混乱。因为VS可能指的是源极“S”的电压（如果有多个串联的源极，则可能和VSS不等，有此类等等问题），
而不是源极-源极之间相对于接地端的电压。

【拓展】一些缩写和“事实标准”
GND：Ground，接地端，常指电源轨0V.
COM：Common，公共端，同GND，为避免误作COM Port（串行通讯端口），常写作“COMM”。
VPP：Voltage of program，可编程器件的“编程/擦除”电压。
Earth：接大地端，真的连接到土地。
PE：Protect Earth，保护性接地端。
Guard：屏蔽/隔离接地端。

【现状】
VCC常指基于BJT的器件或模拟电路的正电源电压。
VDD常指基于FET（CMOS、NMOS、PMOS）的器件或数字电路的正电源电压。

白发老头

也没搞明白，原来是这么回事，谢谢了，又学了点东西。

411183343

收藏学习了