美光宣布批量出货1α工艺节点DRAM

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美光宣布使用新型1α制造工艺生产的DRAM开始批量出货，这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。1α制造工艺最初会用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上，随着时间的推移，未来将用于所有类型的DRAM，有望显着降低DRAM成本。

到目前为止，美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Z nm节点，该节点既提供高位密度（较低的单位成本）又提供高性能。美光表示，从利润率和产品组合角度来说，现在的感觉相当好。美光的1α制造工艺预计将比1Z（成熟的成品率）将内存密度提高40％，这将相应降低生产者的单位成本。

此外，该技术的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工艺其中很重要的一点是，印证了仅靠光刻技术的改进，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代产品一样，美光的1α节点继续使用6F2位线设计。

与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内使用EUV光刻技术来生产存储芯片。美光接下来的三个DRAM工艺节点将继续使用深紫外线（DUV）光刻技术，不过会不断进行评估，时机成熟的时候会适当引入。

即使没有EUV光刻技术，美光也承诺在下一代存储设备中提高性能和功耗，尽管难度越来越大。