请教个电烙铁电路问题

飞向狙沙 · 发表于 2022-1-27 09:19:10

本帖最后由飞向狙沙于 2022-1-27 10:24 编辑

如图，T12、A1321、A1322控制电路，坛友的图，原创链接忘了，电路大体都看明白了，左上角Z1和C2再电路中的作用想不明白，麻烦技术大神来指点下

此处Z1稳压管正接，感觉只能起到个0.7V压降作用，有何意义
C2是为了上电瞬间禁止加热，测个温先？

不违规，上个DIY，开源ESP32 DevkitC兼容板，ch340c串口
吐槽下，ESP32是真香，特别是ESP32 S2增加了IO数量，弥补了IO太少的缺陷，还增加了USB HOST，13位ADC,240M主频，模块才十来块钱，晶振Flash都自带省的接了，一对比是真不想玩鲍鱼价的STM32了。
就是各种型号不少，PlatformIO兼容的一般，都是单核的，PlatformIO默认多核，也没找到官方切换方案
https://oshwhub.com/jusha/esp32-devkitc-my

时师傅 · 发表于 2022-1-27 11:00:19

怎么你的电烙铁那么复杂？

lijielzj · 发表于 2022-1-27 11:51:16

谁没事，天天换烙铁芯子，这种适合多种手柄的没多大意义……还是专用的方便！

mhtlov · 发表于 2022-1-27 12:03:39

比较感兴趣

飞向狙沙 · 发表于 2022-1-27 12:03:59

lijielzj 发表于 2022-1-27 11:51
谁没事，天天换烙铁芯子，这种适合多种手柄的没多大意义……还是专用的方便！ ...

有道理，也没准备用这个图，直接搞个1321的完事，只是看到了觉着还能兼容多种手柄挺有意思，学学电路

qrut · 发表于 2022-1-27 12:06:29

本帖最后由 qrut 于 2022-1-27 12:10 编辑

c2是自举电容，15v稳压是钳位，q2导通低电平时把mos栅极拉低，mos关闭。电源正通过z1r2到电容c2到烙铁内阻到地给c2充电，电压大概vcc-0.7,q2关断时不再拉低mos栅极，c2通过r1到mos栅极到mos s极到电容下端形成回路mos导通，此时c2上端电位比vcc高大概一倍，如果vcc 30v供电则c2两端电压将超过 vgs on 的最高20v，所以需要钳位使电压小于等于15v，如果以地为参考点mos导通后 s极电位也就是c2下端会是30v ，电容两端电压不能突变，因此电容上端电位从30v 上升到60v，比vcc 高30v，此时没有稳压管mos会烧毁，电容c2上端通过r2 到15v稳压管到电源正再到地形成回路，60-30（电源电压）-15（稳压管压降），剩下15v被稳压管和r2吸收，r2阻值很小，大部分能量被稳压管吸收，使c2两端电压钳位在15v以下保护mos～

飞向狙沙 · 发表于 2022-1-27 12:49:54

qrut 发表于 2022-1-27 12:06
c2是自举电容，15v稳压是钳位，q2导通低电平时把mos栅极拉低，mos关闭。电源正通过z1r2到电容c2到烙铁内阻 ...

讲的很透彻，Z1的作用明白了，但是C2整个电路中的作用还是没能理解，自举电容是为了倍压，推动MOS？但是供电要求就是15V起步呀，结果不就成了C2一直想获得倍压，但是一直被钳位到15V了么

geek云中漫步 · 发表于 2022-1-27 13:06:42

没有原贴链接吗？

qrut · 发表于 2022-1-27 13:12:59

飞向狙沙发表于 2022-1-27 12:49
讲的很透彻，Z1的作用明白了，但是C2整个电路中的作用还是没能理解，自举电容是为了倍压，推动MOS？但是 ...

nmos高边驱动栅极电压必须高于母线电压10v-15v以上才能使nmos可靠导通，电源如果20v 栅极驱动电压必须20+15v才行，高边nmos 一旦导通s极电位就会接近vcc，如果vcc 20v，完全导通后 s极电位就是20v，此时如果不提高栅极电位，仍旧vcc以下，vgs压差就会是0，因此mos无法导通。这时就需要独立gs驱动（例如变压器驱动，和参考点不共地），只需10-15v独立驱动电压就行。还有一种方法就是自举，利用自举电容储能作用提前储备能量，使g极对地电压为vcc+15v，也就是高于母线电压15v。这时电容对地电压vcc+15v，加到mos栅极流过源极再流过负载到地，mos导通后源极和漏极等电位，漏极接vcc，所以源极电位也是vcc，负载是个电阻接源极到地，所以压降会是vcc，栅极是vcc+15v，所以vgs压降就是栅极电位vcc+15v 减去vcc（负载压降），所以只剩15v，刚好满足mos完全开通要求，这就是高边驱动原理。c2的作用就是mos没导通时先给电容两端充电，充电后相当于储存了一个独立vcc的电压（和电源不共地），然后通过转换电路把c的电压和母线vcc电压串联，这样就得到了高于母线电压的栅极驱动电压，才能正常驱动高边nmos，详细可以百度高边驱动自举电容和浮栅驱动原理就明白了～