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上图,没什么好说了,现在光纤时代这玩意儿早就跟不上节奏了
外观
螺丝加卡扣固定,基操
整体PCB
芯片方案
1M x 16位同步DRAM(SDRAM)
EM636165TS-6GSDRAM是高速CMOS包含16 Mbits的同步DRAM。在内部配置为双512K字x 16 DRAM,带有一个同步接口(所有信号都注册在时钟信号的上升沿CLK)。每一个512K x 16位存储区被组织为2048行256列乘16位。读取和写入对SDRAM是面向突发的;访问始于选择位置并继续进行编程编程顺序中的位置数。访问从BankActivate的注册开始然后是读取或写入命令命令。EM636165TS-6G提供可编程读或写突发长度为1、2、4、8或整页,带有突发终止选项。自动预充电可以启用功能以提供自定时行突发结束时启动的预充电序列。自动或自动刷新功能刷新易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最多适当的模式以使其性能最大化。这些设备非常适合需要的应用高内存带宽,特别适合到高性能PC应用
特征:EM636165TS-6G
快速访问时间:4.5 / 5.4 / 5.4ns
快速时钟频率:200/166/143 MHz
自刷新模式:标准
内部流水线架构
512K字x 16位x 2库
可编程模式寄存器
-CAS延迟:2或3
-突发长度:1、2、4、8或整页
-突发类型:顺序或交错
-突发停止功能
由LDQM和UDQM控制的单个字节
自动刷新和自我刷新
4096个刷新周期/ 64ms
CKE掉电模式
JEDEC标准+ 3.3V±0.3V电源
工作温度:TA = 0〜70°C
接口:LVTTL
50引脚4亿塑料TSOP II封装-铅和无卤素
电容特写,电解电容全部采用的是丰宾电容
板子背面,主控那边应该是铺铜辅助散热?
完
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