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[电子] 消息称长江存储将直接挑战 232 层 NAND,并于 2022 年底量产

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发表于 2022-6-14 14:48:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

     IT之家 6 月 14 日消息,3D NAND200 层堆栈以上赛局加速展开,存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家 232 层堆栈 3D NAND 闪存将于 2022 年底前率先量产。
     据 DigiTimes 报道,近日市场传言称,长江存储将跳过原定 192 层技术,直接挑战 232 层NAND,并于 2022 年底量产
     据报道,存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他 NAND 大厂如三星电子、铠侠等的脚步,并于 2023 年将逐步拓展 232 层NAND 产能比重,为全球 NAND 产业竞赛投下重磅炸弹。
      
     IT之家了解到,长江存储已推出 128 层 3DNAND 闪存,此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品。
     此外,市场观察人士认为,三星电子预计将在 2022 年晚些时候加入 200 层以上 3D NAND 闪存的竞争。
     
      

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发表于 2022-6-14 15:57:13 | 显示全部楼层
帝国主义在奇技淫巧的错误道路上越跑越快。
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发表于 2022-6-14 16:32:29 | 显示全部楼层
这玩意是咋做的啊,2D的做好一层一层叠出来的吗?还是直接在硅片上加工出来的?
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发表于 2022-6-14 17:25:37 | 显示全部楼层
bfantasy 发表于 2022-6-14 16:32
这玩意是咋做的啊,2D的做好一层一层叠出来的吗?还是直接在硅片上加工出来的?
...

在b站看了,好像是1层层堆叠起来的,、
堆叠一层,然后覆盖一次si,再重复第一层的过程,
最后到200多层。
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发表于 2022-6-15 09:16:29 | 显示全部楼层
smallanntse 发表于 2022-6-14 17:25
在b站看了,好像是1层层堆叠起来的,、
堆叠一层,然后覆盖一次si,再重复第一层的过程,
最后到200多层。 ...

太厉害了,大概类似电路板,几百层上千层的电路板。
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