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双处理器双字库
高通骁龙210系列-MSM8909核心板 高通MSM8909核心板4核A7架构,主频1.1GH。。KMFJ20005A是一种多芯片封装存储器,它结合了4GB eMMC和4GB LPDDR3 SDRAM。KMFJ20005A适用于移动通信系统的数据存储器,不仅可以减少安装面积,而且可以降低功耗。
三星e·MMC是一种以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。e·MMC操作与MMC设备相同,因此是一种简单的读写存储器,使用的是工业标准的MMC协议v5.0。e·MMC由NANDflash和MMC控制器组成。NAND区域(VDDF或VCC)需要3V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VDD或VCCQ)。SAM SUNG e•MMC支持200MHz DDR–高达400MBps,总线宽度为8位,以提高顺序带宽,尤其是每次的顺序读取表演。那里使用e·MMC有几个优点。它很容易使用,因为MMC接口允许与任何微处理器和MMC主机轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离,因此主机对NAND的任何修订或修订都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的时间市场e·MMC的嵌入式flash管理软件或FTL(flash Transition Layer)管理磨损均衡、坏块管理和ECC。FTL支持三星NAND flash的所有功能,实现最佳性能。
LPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率架构,以减少系统中的输入引脚数。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。每个命令使用一个时钟周期,在此期间命令信息在时钟的正边缘和负边缘传输。
KMFJ20005A引脚描述
4GB e.MMC描述
e·MMC结构图
e.MMC5.0特性
HS400模式
eMMC5.0产品支持高达400MB/s的高速DDR接口定时模式,200MHz,1.8V I/O供应HS400模式支持以下功能:
DDR数据采样方法
CLK频率高达200MHz DDR–高达400Mbps
只有8位总线宽度可用
1.8V信号电平
六种可选驱动强度
分区管理
设备最初由两个引导分区和RPMB分区以及用户数据组成区域。那个用户数据区可分为四个通用区分区和用户数据区分区。每个通用区域分区和用户数据区域分区的一部分可以配置为增强分区。
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