台积电明天将公布2nm工艺细节 功耗降低30%

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在9月份量产3nm工艺之后，台积电下一代的工艺也已经在路上了，2nm工艺未来两年中将接替3nm工艺，这一代工艺也会放弃FinFET晶体管，跟三星、Intel一样走向GAA环绕栅极晶体管技术。台积电在6月份正式公布了2nm工艺，并透露了一些技术细节，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

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不过在晶体管密度上，2nm工艺的提升就不那么让人满意了，相比3nm只提升了10%，远低于以往至少70%的晶体管密度提升——按照摩尔定律来算，密度应该提升100%才算新一代工艺。

此外，台积电2nm工艺的量产时间也要等到2025年下半年，这意味着终端产品出货要等到2026年了，升级周期也要比当前的节点慢不少。

2nm工艺到底为什么密度提升有限？又有哪些首发客户？这些关键问题还要台积电解答，正好8月30日该公司还有技术论坛会议召开，2nm工艺势必会是明天的焦点，台积电届时应该会公布更多的细节信息。

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台积电的牛皮是吹得越来越离谱了，所谓的3nm晶体管密度比英特尔的10nm多不了多少，看最后怎么圆场。

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