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[慧荣] SM2258H 缓存边的这个电阻由240欧换成了100欧有什么危害?已解决

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发表于 2022-9-22 10:06:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 Alexbeijing 于 2022-9-22 22:10 编辑

2258h测试架原来的256MB缓存个头大,周边很紧凑,拆下它换512MB缓存的过程中镊子手臭把它碰掉了,补焊时手臭又给吹跑了。因为手头没有240欧姆,临时补了一个100欧的电阻,检测和开卡暂时都没有出现异常。另外,没有它检测架也能用。现在有了240欧电阻,要不要更换呢?请懂得师傅指点一下,谢了。
补充结论:必须更换为240Ω的电阻,更换之前,256g的芯片只能设250g开,设256g出错开不了。环境一样,更换为239.3Ω后,设256g顺利开出。


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发表于 2022-9-22 10:30:15 | 显示全部楼层
可以不换,相差不大没问题。
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发表于 2022-9-22 10:33:52 | 显示全部楼层
ZQ信号来的,每个DRAM芯片都有一个固定的ZQ引脚,是连接外部240欧姆电阻接地用来进行内部校准的

规格书里没说改动有啥变化,只是推荐了240欧姆。一般不建议随意更改,特别是一些用于基准作用的(通常更改,或使用品质较差的元件,会带来一些奇奇怪怪的问题,排错起来很麻烦)

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 楼主| 发表于 2022-9-22 10:40:29 | 显示全部楼层
futurestar 发表于 2022-9-22 10:33
ZQ信号来的,每个DRAM芯片都有一个固定的ZQ引脚,是连接外部240欧姆电阻接地用来进行内部校准的

规格书里 ...

谢谢老师
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 楼主| 发表于 2022-9-22 19:19:35 | 显示全部楼层
futurestar 发表于 2022-9-22 10:33
ZQ信号来的,每个DRAM芯片都有一个固定的ZQ引脚,是连接外部240欧姆电阻接地用来进行内部校准的

规格书里 ...

老师您是高人!同一个256g的芯片在100Ω时只能设250g开,设256g开不出来。我给它换上了239.3Ω的电阻后就顺利开出来了256g,昨天我一直奇怪怎么和上次一样的参数设置就不行了呢,也怀疑这个阻值了,提前买了240Ω的电阻。
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 楼主| 发表于 2022-9-22 22:07:30 | 显示全部楼层
myheart 发表于 2022-9-22 10:30
可以不换,相差不大没问题。

要换,不换有瑕疵
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发表于 2022-11-27 11:20:25 | 显示全部楼层
学习了,感谢分享
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