tlc写入一次，要隧穿写入7次,Qlc写入一次，要隧穿写入15次

dongfangw

写入电压是一级一级逐次升高的;Qlc写入一次，要隧穿写入15次。tlc写入一次，要隧穿写入7次,mlc是3次，Slc只需一次。而且qlc的电压更高，损耗更大。单单一次写入pslc模式损耗只有qlc的几十分之一。tlc的十几分之一,再加上其他因素,pslc综合寿命比tlc提高40到60倍
看科普资料上写的..这个说法对不对?

rush

对的，但是要从全新闪存就这么用，才能有效提高寿命，qlc模式用完，pslc模式也很容易漏电

技术宅小唐

这种伪科普不看也罢

lzhq0071

遂穿多少次这个很明显不对，而且你怎么定义多少次：
从单个电子角度？还是从主控编程次数角度？
很明显从单个电子角度去看是没有意义的，从主控编程次数去看，倒是有1PASS 2PASS之类的

dongfangw

lzhq0071 发表于 2022-10-16 15:24
遂穿多少次这个很明显不对，而且你怎么定义多少次：
从单个电子角度？还是从主控编程次数角度？
很明显从单 ...

Qlc有16个电压级别,需要逐次升高擦写电压15次。就要从最基层的原理说起。

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-16 15:15
这种伪科普不看也罢

这是做基础编程的技术人员写的，研究的东西对我来说就像看天书一样。应该不是外行吧

技术宅小唐

dongfangw 发表于 2022-10-16 18:11
这是做基础编程的技术人员写的，研究的东西对我来说就像看天书一样。应该不是外行吧 ...

NAND flash编程过程是先擦除在写入，最小擦除单位为block，最小编程单位为page，而写一个cell要擦一个block 15次，那就得读15次block，是厂家疯了还是工程师疯了？还是做基础编程的技术人员写的？基础编程人员连NAND常识会不知道？而你还当真了？是我疯了？

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-17 00:04
NAND flash编程过程是先擦除在写入，最小擦除单位为block，最小编程单位为page，而写一个cell要擦一个blo ...

呵呵呵，人家是做闪存基础编程的。

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-17 00:04
NAND flash编程过程是先擦除在写入，最小擦除单位为block，最小编程单位为page，而写一个cell要擦一个blo ...

Qlc颗粒表达一个数据有16种不同电位区别,,我说的是最基础的写入，跟你说的整页整块擦除就不是一码事。

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-17 00:04
NAND flash编程过程是先擦除在写入，最小擦除单位为block，最小编程单位为page，而写一个cell要擦一个blo ...

qlc的数据有16种不同的电位表达，写入编程的时候需要逐次检验升高电压，不是一次就写成的，里边原理非常复杂。擦除很快都是一次，可能你误会了我的意思。

dongfangw

你我都知道的nand常识,一个搞闪存基础的人可能会不知道？,,只能说工程师没疯，肯定是我疯了。

zhnhr

显然是错误的。

dongfangw

rush 发表于 2022-10-16 14:08
对的，但是要从全新闪存就这么用，才能有效提高寿命，qlc模式用完，pslc模式也很容易漏电 ...

Pslc模式有两种不同的实现方法。一种最简单的方法是直接只取最低电位就是fastpage,, 这种办法提升寿命不太多。这种模式下qlc寿命快耗尽时转Pslc作用也不大。另一种办法是量化变粗,这种情况下qlc寿命快耗尽时转Pslc还有相当寿命。

lzhq0071

dongfangw 发表于 2022-10-16 18:04
Qlc有16个电压级别,需要逐次升高擦写电压15次。就要从最基层的原理说起。

你要搞清楚，16个阈值电压，跟你实际的数据是有关系的，你是QLC，那你的数据对应的阈值电压只会是处于16种阈值电压中的某个阈值电压附近罢了，何来15次升电压；
先拿TLC来说，你可以类比到QLC，无论是1PASS/2PASS，在RB Polling的都是时候直接将3个page内容写到cell内，换言之，一个cell里面有3个page数据罢了，相当于一次性精准注入电荷数量，那要这么说，是不是可以认为只遂穿1次？？？
1PASS和2PASS都只是先将数据发到register，等待最后的确认指令后，真正写入到NAND array
没事多看看闪存手册，别听那些伪科普

dongfangw

lzhq0071 发表于 2022-10-17 10:45
你要搞清楚，16个阈值电压，跟你实际的数据是有关系的，你是QLC，那你的数据对应的阈值电压只会是处于16种 ...

具体原理很复杂，我也看不太懂。不过人家做闪存基础理论研究的人所接触到的肯定不是我们能想象的，想要在tlc颗粒中一次准确注入八个电位之中的一个,那电路复杂度比登天还难,具体电路也不可能这样操作

dongfangw

lzhq0071 发表于 2022-10-17 10:45
你要搞清楚，16个阈值电压，跟你实际的数据是有关系的，你是QLC，那你的数据对应的阈值电压只会是处于16种 ...

你说的那个1pass我看了一下英特尔l06确实有1pass和2pass,但是1pass极度影响寿命所以也并不采用。,而且在每个pass中有包含有几次遂穿也无从得知。

dongfangw

如果真有一次pass或者说一次遂穿就能完全写入的mlc颗粒，那写入速度肯定也不比slc差，只是不知现实中有没有这种mlc

技术宅小唐

dongfangw 发表于 2022-10-17 00:08
呵呵呵，人家是做闪存基础编程的。

呵呵呵呵呵呵，一瓶水不满 半瓶水晃荡，你说做NOR闪存编程我还能信，NAND说这种科普我绝对不信，还有NAND编程是以block擦除，如果这个讲擦除的block有数据，那就还要先读取数据暂放到主控缓存（集成/外置DDR），然后主控对其重新排序整形，而排序整形以后待编程的数据就已经包含有写入cell的电平值，部分3D制程使用的电荷泵结构（电荷黑洞结构）编程方式还特别一点这里不细说，且SSD主控编程可以直接对一个单元的所有cell充电，一次就能写入一个page，甚至一个block的全部数据(包括LDPC码/ECC码数据)，如果你看过镁光闪存规格书，里面就已经有编程的详细细分步进和原理，擦除过程是对所有cell充电，此时所有cell电平最高，基准位电平也是最高（1.2/1.8V），而且写入编程不是逐级升高电压，而是以不同电压值对基准电平为参考，读取cell的电平值对比基准位得出对应代表的byte信息，而不是16种逐级升高的电压，而且一个编程完成以后还需要有校验步骤（LDPC码纠错的大部分主控已经略过该步骤了），读取的时候根据基准cell位的电平为参考（因为一个单元里所有的cell是同时充电，即硅层厚度是差不多的，漏电率也是一样的，根据基准cell的电平值可成比例算出其余cell应该对应的电平值），从你所说我可以判断，应该这个所谓的“NAND专业基础编程”人员就是你，完全是臆想，与事实没有一点符合，关键是你自己还觉得权威？哎，这就很有意思了

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-17 20:09
呵呵呵呵呵呵，一瓶水不满 半瓶水晃荡，你说做NOR闪存编程我还能信，NAND说这种科普我绝对不信，还有NAND ...

你可不能这样高看我,你觉得像我这种水平的人能充当那个所谓的专业基础编程人员？

dongfangw

技术宅小唐 发表于 2022-10-17 20:09
呵呵呵呵呵呵，一瓶水不满 半瓶水晃荡，你说做NOR闪存编程我还能信，NAND说这种科普我绝对不信，还有NAND ...

这玩意儿我也不懂。是对是错大家就全当看着玩儿吧。过两天有空了我再把一些资料详细截几个图。