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[SMI] P16(6 ALE Feature)、P17(3B/3C)等SMI GPIO跳线解析

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发表于 2023-2-8 22:52:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 lzhq0071 于 2023-2-8 23:57 编辑

听Avidia说很多小白把P16/P17这种当成万能跳线了,在这里给大家科普一下SMI几款SATA SSD主控上我们平时需要用GPIO跳线说明吧,这里以SMI跳线表进行总结,如有问题可以补充。

2258主要会用到如下跳线
P166地址跳线,首先NAND的地址是由2Byte的Column地址与xByte的ROW地址构成,此跳线用于4Byte ROW地址的NAND,比如YMTC颗粒、B37和这之后的、4DIE的B17/27等,Toggle阵营也有4Byte ROW的颗粒,但是你用不到,是原厂预留的。不要乱跳,有些3Byte Row地址的颗粒跳上了能开,但是不保证你能稳定用;
P20增强ROM下的驱动能力,可以解决很多CE时开卡最后Fail的问题;
P23Toggle启动,大家都知道
P25可靠模式,一般都会跳;


2259主要会用到如下跳线
P166地址跳线,首先NAND的地址是由2Byte的Column地址与xByte的ROW地址构成,此跳线用于4Byte ROW地址的NAND,比如B37和这之后的、4DIE的B17/27、YMTC颗粒等,Toggle阵营也有4Byte ROW的颗粒,但是你用不到,是原厂预留的。不要乱跳,有些3Byte Row地址的颗粒跳上了能开,但是不保证你能稳定用;
P17(AC主控)改用3B/3C进出SLC指令代替通用的DA/DF,主要用在新镁光颗粒,如B37和这之后的;
P20增强ROM下的驱动能力,可以解决很多CE时开卡最后Fail的问题;
P22NVDDR3启动,ONFI 1.2V颗粒需要的,但不确定像B16这种双电压的,在1.2V下跳上后同一个FW开卡是否会正常使用NVDDR3模式,请根据实际情况用;
P23Toggle启动,大家都知道;
P22+P23(AC主控)只在SMI跳线表里见过,描述为YMTC Gen2/Gen3即JGS/TAS/HUS等颗粒用,但实际好像没看到用上这个,根据实际情况调试吧;
P25:可靠模式,一般都会跳


2259XT2主要会用到如下跳线
P04VCCF电压检测阈值跳线,用于触发电压异常中断,不跳就是阈值为2.2V,跳了是2.6V,所以2.5V VCCF的FLASH请确保不要跳了,一般任何FLASH都是不跳的
P166地址跳线,首先NAND的地址是由2Byte的Column地址与xByte的ROW地址构成,此跳线用于4Byte ROW地址的NAND,比如B37和这之后的、4DIE的B17/27、YMTC颗粒等,Toggle阵营也有4Byte ROW的颗粒,但是你用不到,是原厂预留的。不要乱跳,有些3Byte Row地址的颗粒跳上了能开,但是不保证你能稳定用;
P17改用3B/3C进出SLC指令代替通用的DA/DF,主要用在新镁光颗粒,如B37和这之后的;
P20增强ROM下的驱动能力,可以解决很多CE时开卡最后Fail的问题;
P22比较诡异,和58 59的功能不一样,容易记混,SMI跳线表上看是除了1.2V下的BICS5/6才用到,一般不跳;
P23高频跳线(Toggle&NVDDR3),根据实际情况跳就行了,跳错了开卡会报错告诉你这个错了,你改一下就好了,当然这个你要配合正确的VCCQ电压用的(建议参考各大群里Yuuta的59XT2跳线表);
P22+P23只在SMI跳线表里见过,描述为1.2V下的BICS5/6需要用,根据实际情况调试吧;

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发表于 2023-2-8 23:16:17 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
貌似很
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发表于 2023-2-9 00:30:02 | 显示全部楼层
厉害了,大佬的科普很有用
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发表于 2023-2-9 10:36:10 | 显示全部楼层
闪存寻址主要有两种类型(就是来访问颗粒里的实际内容,逻辑单元内容),它们是分别是column address(列地址)和row address(行地址)。其中列地址用于访问Page内的字节(SSD中,严格来说是颗粒中页是最小操作单位。例如机械硬盘最小单位是扇区,Windows文件系统最小单位是簇,类似的意思),行地址用于访问页、块和LUN
不管是TLC模式寻址,还是SLC模式寻址(DDP、QDP、ODP、HDP),长江存储的颗粒就有Six Address的设计(同样的还有镁光的B27A、B37R等,实际上楼主说是B37R之后,但是B27A也是的)。也就是两个ColumnAddress(DQ0-DQ7,1个字节),四个Row Address,来进行寻址访问的也就是我们说的Six ALE。所以针对这类设计的存储颗粒,应该短接跳线Six ALE
image.png

例如东芝BiCS3,是用两个Column Address,三个RowAddress进行寻址访问。不过实际上不是Six ALE Feature设计的存储颗粒,短接了也能工作(例如2263XT主控),不过严谨态度下,还是不要短接
image.png

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发表于 2023-2-9 11:21:11 | 显示全部楼层
futurestar 发表于 2023-2-9 10:36
闪存寻址主要有两种类型(就是来访问颗粒里的实际内容,逻辑单元内容),它们是分别是column address(列地 ...

NandFlash的寻址原理,这里说的比较详细一些

https://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3435595.html

实际上是5 ALE还是6 ALE,主要取决于厂商的设计,跟page、块大小,die数量这些都有关系。不是研发层面的基本不需要理会这些东西的。我们搞维修的,通常知道这个事就可以
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 楼主| 发表于 2023-2-9 12:08:20 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
本帖最后由 lzhq0071 于 2023-2-9 12:10 编辑
futurestar 发表于 2023-2-9 10:36
闪存寻址主要有两种类型(就是来访问颗粒里的实际内容,逻辑单元内容),它们是分别是column address(列地 ...


说的没错,但是也像我里面说的一样,B17 27只有4DIE才用到第六个Byte
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发表于 2023-2-9 12:40:54 | 显示全部楼层
lzhq0071 发表于 2023-2-9 12:08
说的没错,但是也像我里面说的一样,B17 27只有4DIE才用到第六个Byte

还有包括N28
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发表于 2023-2-9 15:27:44 | 显示全部楼层
不明觉厉,学习了
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发表于 2023-2-20 10:09:51 | 显示全部楼层
不明觉厉,学习了
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发表于 2024-2-26 19:22:30 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
不懂,膜拜大佬
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发表于 2024-4-2 14:28:01 | 显示全部楼层
这个帖子解答了我多年的疑惑~
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