三星32Gb DDR4 A-die内存芯片出样，10nm工艺

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根据外媒的报道，三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行采样。
三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4芯片组成，采用三星的10纳米级工艺技术生产。三星提供两种版本的32 Gb DDR4芯片：一种采用2G x8，另一种采用1G x16。前者被存储器控制器视为两个存储器单元，而后者被视为一个，使用1.2 V的工业标准电压。
JEDEC的DDR4规范仅规定了4 Gb，8 Gb和16 Gb内存芯片。因此，DRAM制造商必须使用更加先进的封装技术为高容量存储器模块构建芯片。32 Gb DDR4内存芯片将使制造商能够使用更少的DRAM芯片，打造高内存密度或小外形尺寸的内存条解决方案。
三星没有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定价，外媒表示很明显它们将以高价出售，因为它们只能从三星获得。