请教大佬K9HQGY8S5M-CCK0,K9LPGY8S1M MLC颗粒

handcn

请教大佬，这2个颗粒应该用什么主控，查了很多开卡工具里面都没有收录这2款芯片。
想用这2个颗粒做U盘，硬盘是15年的850 Pro 128G SATA SSD，最近不认盘了，想拆下颗粒做成U盘，群里有人说是不是黑片，磁盘是正宗大陆行货，购自京东。应该是正宗的三星原厂颗粒，只是年代久远了。谢谢！


BGA316封装，芯片型号是K9LPGY8S1M 2颗，单颗21G， K9HQGY8S5M 2颗 单颗43G， 芯片网站上查不到匹配的主控，国外网站能查到硬盘和芯片基本信息如下：

Drive:
Die Package configuration: 2 x 4 x 86Gbit | 2 x 2 x 86Gbit

The SSD has 2 diffente NAND Flash models:
2x Samsung K9HQGY8S5M-CCK0 (4x 86Gb dies)
2x Samsung K9LPGY8S1M-CCK0 (2x 86Gb dies)

NAND Flash

Manufacturer:	Samsung
Name:	V-NAND V2
Part Number:	K9HQGY8S5M-CCK0
Type:	MLC
Technology:	32-layer
Speed:	1000 MT/s
Capacity:	2 chips @ 344 Gbit
Topology:	Charge Trap
Process:	40 nm
Die Size:	82 mm² (1.0 Gbit/mm²)
Dies per Chip:	4 dies @ 86 Gbit
Planes per Die:	2
Decks per Die:	1
Endurance: (up to)	6000 P/E Cycles (30000 in SLC Mode)
Page Size:	16 KB

陆晨曦

用flashmaster试试看

XHqiao

听讲学习的，请楼下继续

handcn

陆晨曦 发表于 2023-4-24 18:07
用flashmaster试试看

谢谢回复！
Flashmaster之前查过，感觉是按照芯片命名规则解析的信息，如下：
料号或闪存ID
K9HQGY8S5M
厂商
三星
类型
NAND
容量
43 GB
位宽
x8
单元
MLC
制程
未知
代
1
片选
4
通道
未知
Die
4
R/B
4
电压
Vcc: 3.3V (3V~3.6V), VccQ: 1.8V (1.65V~1.95V)
封装
未知
控制器
注释
更多信息
TogDDR版本        2.0       
无铅        否       
无卤        否       
铜工艺        否       
操作温度        未知       
坏块        未知       
闪存ID

lvyaqi555

同问  K9LFGY8S1A