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MOS规格参数选型指南 仅供参考

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发表于 2024-3-12 15:29:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 电子明星 于 2024-3-12 15:40 编辑

MOS管选型注重的参数及使用注意事项
笔记作用 有错误的地方欢迎指正 在各位大神面前我就不班门弄斧了 仅仅是做个备忘笔记用
大致先从10个参数开始
1、 开启阈值电压(Vgsth):有些MOS管阈值电压不到1V,MOS管就能开始导通,有的MOS管开启电压至少2V。
2、持续工作电流(Ihold):MOS管工作时,能持续通过D极和S极间的电流。考虑负载的峰值电流 额定电流 选择合适的规格。
3、栅极和源极之间的最大值(Vgs):当MOS管开始导通时,这个电压值较小,当栅极和源极间的电压值达到一个值时,MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限,不能超过给出的最大值。12V基本满足日常大多数MCU驱动。
4、最大耐压值(Vdss):加载到D极和S极间的最大电压值。通过MOS管加载到负载上的电压值,一定要小于最大耐压值,而且留有足够的余量。比如感类负载考虑到反向尖峰及持续时间的因素 需根据实际数据选择足够的VDSS余量的器件。
5、Vbr击穿电压:在G极和S极间的电压值为0时,在D极和S极间加载电压,当电压值达到多少V时,MOS管被击穿。大多数MOS此值与VDS值相差不大,个人理解。
6、导通电阻:我们希望它的电阻越小好,电阻越小,功耗就越小,发热量就越小。一般为几十毫欧,小的能达到几毫欧。特低阻的价格稍贵。影响发热的因素很多,内阻是较为简单理解的一个参数。
7、冲击电流(Idm):负载启动的瞬间,可以有很高的冲击电流,包括浪涌等。这个冲击电流一般为保持工作电流的4倍。
8、漏电流IDSS:开启电压为0时,MOS管没导通时,在D极和S极加载电压时,D极和S极之间会有很小的电流。
9、开启时间、上升时间、关断时间、下降时间:这4个参数说明MOS管的开速度,MOS管用在高频信号电路中,这个参数很重要。比如一个频率为50Khz的PWM波,有高电平和低电平,MOS管需要不停的关闭和打开,如果MOS管导通和关闭速度不够,这个PWM波不能完整传输。高频驱动时恢复时间不够短会导致功耗高,效能低,MOS烧毁等。

10.工作温度 国内市场普通消费类 绝大多数型号基本均能满足需求。




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 楼主| 发表于 2024-3-12 15:35:49 | 显示全部楼层
结电容 普通低频电路忽略即可,高频的MOS会比附图中的小很多。


高速PWM控制 TRR参数重视







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 楼主| 发表于 2024-3-12 15:38:33 | 显示全部楼层

至于两种沟道的区分  我是将MOS与三极管做了比较 感觉这样好记一些 仅仅是用于原理图上的标识区分

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发表于 2024-3-12 15:54:03 | 显示全部楼层
挺全面了,够用了。
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发表于 2024-3-12 16:42:12 | 显示全部楼层
谢谢分享,学习了
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发表于 2024-3-12 16:50:36 | 显示全部楼层
mark  谢谢分享
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发表于 2024-3-13 10:20:19 | 显示全部楼层
很详细,学习了。
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发表于 2024-9-15 08:39:44 | 显示全部楼层
很有用的解说,谢谢
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发表于 2024-9-15 10:27:43 | 显示全部楼层
知识贴,需要顶一下
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发表于 2024-9-17 14:46:04 | 显示全部楼层
电子明星 发表于 2024-3-12 15:38
至于两种沟道的区分  我是将MOS与三极管做了比较 感觉这样好记一些 仅仅是用于原理图上的标识区分
...

谢谢,比较全面,学习了。
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