分享个SM2258H开卡K9UMGY8SCM SSV1M的参数

111alan

直接上参数，用于SM2258AB_MPQ0719A_FWQ0823B开卡工具：


A10=Samsung,1Tbit(8KP),K9PKGY8S7M_DDR200
Samsung,1Tbit(8KP),K9PKGY8S7M_DDR200=EC,1A,94,A6,64,C7,2,08,10,0,5260,5460,2,1,0,384,2,8,896,3,0,8F,27,10,1,8F,59,0,1,2,1,52,51,0,DA,DF,1,0,0,C0,88,88,88,88,12,26,AA,AA,66,66,66,66,0,20,〗,,

中间的10是接口速率，10是DDR200 20是DDR300 30是DDR400。由于双316 U板电气性能没那么强所以还是保守按DDR200置。

参考了下面前辈摸索出来的块页数，但是有一个地方有个问题导致rdt坏块数会随机浮动。另外使用Q0823B固件时原参数超过DDR200时过不了trainADJ. 将8F,27后面的30改为10就解决问题了。
https://www.mydigit.cn/thread-398386-1-1.html


RDT仍然需要ECC16左右才能通过，这里设置为14都会导致出现上千的坏块。不过因为是SSV1所以情有可原，各家3D NAND稳定性的巅峰都在v3附近。


请无视一下EPYC平台孱弱的USB。不过DDR200写入还是可以的。