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最近得到四颗TH58TFT1V23BA8H,单颗256G的BiCS3颗粒,想来想去四贴SM2262EN才是它最好的归属
1. 材料清单
主控:SM2262EN BB
版型:公版四贴版型(双面板)
缓存:D9TBK(DDR4)*2
颗粒:TH58TFT1V23BA8H*4
2. 焊接过程
a.清理焊盘
b.缓存实拍
c.颗粒信息
d.颗粒植锡
e.焊接成品
f.更改VCCQ电压为1.8V
2262en+TH58TFT1V23BA8HVCCQ需要1.8v,在1.2v上频率只能手动指定175以下
否则会报错ADJ错误
根据数码论坛内大佬提供的跳线信息,R1是R2的两倍阻值,VCCQ电压为1.8V,我这里用了R1=100K,R2=51K,实际电压1.78v,也是没问题的。
3. 开卡过程(包含RDT)
a. 量产工具:SM2262EN_NoIM_MPT0807A_FW42BBT9BA
b.用JMS583的USB转M2的转接卡,插入电脑,并点击左上角那个搜索图标(我这里已经开好了,ROM状态下会识别一个1023M的盘)
c.量产设置
一般TLC配置:SLC:20, TLC:50,因为我这个颗粒才写入几次PE,所以我设置的相对严格点:SLC:15,TLC:45,保存后,点击开卡就行。
d.RDT说明
刷入固件后,重新插拔一下,不能插手机充电器,需要USB通讯,直接插电脑,RDT瞬时电流能超过1A,注意辅助供电。
过程中,灯会慢闪烁,1T大概耗时1小时40分钟,结束后直接插电脑。
e. RDT结果(颗粒体质很不错,没有新增坏块,都是原厂坏块)
f. RDT跑完后的开卡设置
进行如上设置,保存,重新开卡就好了。
g. 测速
我电脑没有多的NVME接口,不像拆了测试,大家自己测试吧,大概读取3000,写2500左右。
4. 其他说明
量产工具下载:
下载后,删除 【.zip】后缀,本质是7z的压缩包
其他下载地址:https://flash.microce.com.cn:8888/
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