事情是这样的,偶然收到了一块三星830固态硬盘,外观橙色还是非常不错的,上机一看直接傻眼了:
盘写入不多,但是通电时间很长,导致健康度很低,然后4k速度几乎没有了,楼主下了三星魔术师软件,进软件也看过,和CDI也是对的上的:
另外提一嘴,三星魔术师这个软件很邪门,安装的时候安装包扔桌面上,不然打不开安装包,然后进软件的话,进不去就改属性用win8兼容模式或者断网大法什么的,还有,硬盘不能用转接卡,必须原生接口这个魔术师软件才能识别。。。小棒子我xxx
然后呢,楼主尝试低级格式化什么的各种大法也是没辙,4K就是锁死的,盘用起来感觉也是巨卡无比,没有4K随机读写能力那跟机械硬盘或者大号U盘有啥区别。。估计还是固件层面上的锁死,这下有点儿不好玩了 。心想着反正也不能再坏到哪里去了,拆开来研究研究 。
元件都是单面的,外壳一面是铝合金的,应该吧,另一个是塑料的,整个卡扣扣起来的,主控是三星自家的S4LJ204X01-Y040,下面还有ARM的标识,反正我肯定没开卡工具就是了 ,然后配上4颗K9PFGY8U7B-HCK0,还有一颗缓存,K4T2G3140F-MCF7,查了一下是DDR2的。
愉快的查询了一下颗粒参数,
如图,21nm的MLC,8CE 8DIE的狠货,CE是ECD7947E64C4。俺寻思上U盘主控没啥合适的了,2246EN应该能行,于是愉快的开拆
颗粒是BGA132的,缓存是BGA128的,也给干下来了,就剩主控一个光杆司令 ,另外提一嘴,不知道三星什么神秘的封装技术,颗粒的焊盘不怎么粘焊油,甚至缓存也不沾,很有意思。
掏出2246EN测试架,每个颗粒CE都不缺,单个也都能开过,不过一般来说这种拆机的颗粒直接上板子开卡可能碰上报错TOO MUCH BAD的情况,其实是因为颗粒里面还有数据影响了主控Pretest,所以直接Pretest选3,容量那里选最小的512MB就能开过了,这样就把颗粒清空了,这时候Pretest再选0或者1,容量改回AUTO或者正常容量就行。
掏出2246EN板子,愉快焊上~,缓存随便掏了个南亚NT5CB64M16FP-DH,128M的1600频率的D3缓存,这个很常见,颗粒是这次的主角K9PFGY8U7B,植的无铅焊上去的。直接开卡,然后傻眼。。
CE一个也不缺,但是报ADJ错误,开不过去,那勾选上ADJ BYPASS呢?
会卡在Verify ISP这一步骤,然后等了很久会Reset Fail 51 ,土狗跳线我肯定是跳了的,这个板子土狗就是主控旁边的R23,既然测试架单个能开过,那为啥板子上贴满就不行了呢?搜遍了论坛,有说关交错的什么的一通设置下来也是不行,还有说颗粒有问题或者没焊好的,那更是没啥靠谱说法,毕竟咱对自己焊接水平还是有自信的。 郁闷了好一会儿,最终还是把目光放在颗粒参数上。
在2246EN R0823A这一版固件中,这个颗粒参数如下:
A141=Samsung,32Gbit(8KP),K9GBGD8U0B
Samsung,32Gbit(8KP),K9GBGD8U0B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,30,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,1,0,0,80,55,55,55,55,0E,26,55,55,33,33,33,33,0,0,〗,,
A142=Samsung,32Gbit(8KP),K9GBGY8U0B
Samsung,32Gbit(8KP),K9GBGY8U0B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,30,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,1,0,0,80,77,77,77,77,0E,26,77,77,66,66,66,66,0,0,〗,,
A143=Samsung,64Gbit(8KP),K9LCGY8U1B
Samsung,64Gbit(8KP),K9LCGY8U1B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,30,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,1,0,0,80,55,55,55,55,0E,26,55,55,33,33,33,33,0,0,〗,,
A145=Samsung,128Gbit(8KP),K9HDGY8U5B
Samsung,128Gbit(8KP),K9HDGY8U5B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,100,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,0,0,0,80,33,33,33,33,0E,26,0,0,0,0,0,0,0,0,〗,,
A146=Samsung,256Gbit(8KP),K9PFGY8U7B
Samsung,256Gbit(8KP),K9PFGY8U7B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,100,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,0,0,0,80,33,33,33,33,0E,26,0,0,0,0,0,0,0,0,〗,,
A147=Samsung,512Gbit(8KP),K9UHGY8UCB
Samsung,512Gbit(8KP),K9UHGY8UCB=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,100,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,0,0,0,80,33,33,33,33,0E,26,0,0,0,0,0,0,0,0,〗,,
量产工具可以选前三个参数,可以看到前三个参数除了后面的接口速率有点儿不一样其他没啥差异,后面三个量产工具里面没法选是因为37位为0的时候量产工具不可选,为1才可选。
又仔细想了一下,ADJ报错本质是说板子电气性能测试不通过,测试架没报这个是因为我上的是单颗8CE8DIE,贴满32CE32DIE报错是否需要降低颗粒频率才能呢?答案是显而易见的,确实需要降低颗粒频率,这个在东芝闪迪的19 15nm上也有案例。不过2246EN开卡工具中本身没有颗粒频率的选项,那么我们需要手动调整参数频率。这个频率是参数的第46位,即默认的26,楼主一点一点往下调,终于在调成19的时候可以开过了,而且此时量产工具也不需要勾选ADJ BYPASS。
为了稳定性考虑,最总决定调成18,自己瞎吉儿改的,给大伙瞧瞧:
A18=Samsung,256Gbit(8KP),K9PFGY8U7B
Samsung,256Gbit(8KP),K9PFGY8U7B=EC,D7,94,7E,64,C4,2,08,10,0,3994,4096,2,9,1,128,2,8,1024,3,0,8F,27,30,1,0F,4,0,1,2,1,52,51,0,0,0,1,0,0,80,55,55,55,55,0E,18,55,55,33,33,33,33,0,0,〗,,
跑个RDT看看,直接狠一点,ECC10,结果PASS,颗粒体质确实还行。就是这四个颗粒跑RDT的时候挺吓人的,给大伙瞧瞧这电流,AUV!那叫一个地道~
开卡没问题了,那果断进系统看看速度,跑分如图:
速度不算太快,估计跟咱降频有关系,不过也还算可以了 。那跑圈呢?,也没啥问题,就是温度有点儿高。。{:013:}{:013:}
CDI最高快90度了,可以烧开水了,写入偶尔速度会掉到200多,然后又涨上来,俺寻思可能还是温度太高了,或许跟固件也有关系吧。不过跑圈都能过,C3也不涨,还是不错的{:013:}
撒花,完······结?
你以为到这里就完了吗,其实并没有,这个盘研究的比较晚,其实这次的主角本应该是它~如图:
这次又要书接上文了,解决历史遗留问题:SM2246_BGA316+K9PHGY8S7C - SSD存储技术 数码之家 (mydigit.cn),楼主在去年研究过这个19nm的同CE颗粒,那个是K9PHGY8S7C 8CE双贴的,这次是K9HFGY8S5C XCK0 4CE8贴,这次的颗粒是苹果盘上拆的三星小黑豆,BGA108的,CE都是:EC,DE,A4,32,68,C5,这8个K9HFGY8S5C颗粒一开始就是贴在这次的灰黑色板子上,那时候看见报错ADJ研究了好久,比如VCCQ改成3.3V,套三星21nm的颗粒参数等等。。。甚至换主控。。也还是无果,最终无奈搬到这块建兴的2246EN大板上,板子是海鲜市场上淘来的,主控位移了,于是自己又当了回缝合怪换了个创见标的2246EN主控上去{:013:},然后又把8个颗粒全搬过去,结果还是ADJ FAIL ,还有什么Qcmd Fail什么的报错,说哪一个ce有问题,而且还会变化,各种乱七八糟的问题。当时忘记截图了,最终研究了很久才发现降低颗粒频率就好了,这个楼主从26降低到16稳定用的{:013:}
同时,范大在上文中做出过非常专业的评论使楼主获益匪浅,范大提到的那个板子会掉盘,楼主猜测也许还是跟颗粒频率有关系。这次的小记也算是对上文的完美答案了,也算是完结了这次的19nm在2246EN上的玩法和姿势{:013:}。
非常感谢范大对我的启发{:013:},帅气西装大佬
总结就是:当三星19 21nm多贴的时候,满CE满DIE的时候最为常见,如果碰上ADJ或者Reset Fail51这种,大伙可以试试降低46位颗粒频率,大不了一点一点往下调{:013:},楼主先玩的那个19nm的,发现这个现象,后来在这次21nm的也同样是这个现象,最终还是决定发出来给大伙们看看我的作业{:013:},19和21nm的都是如此,楼主已验证,16nm的等大伙们验证吧{:013:}
撒花!完结!感谢观看!{:013:}
参考文献:花费一天整理的SM2246 闪存参数详解|SSD存储技术 - 数码之家 (mydigit.cn)
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