|
海鲜市场的2TB 金士顿 Nv2 固态硬盘。
使用时发现一旦单次写入量过大,硬盘响应时间大大增加(2 ms -> 2000 ms 大概),重启系统后硬盘就会恢复到写入前状态,可能是写保护了吧。
想重新开卡解决这个问题。撕掉贴纸后发现主控信息被打磨掉,板子背面是RTS5765DL印记(如图)。
贴纸
背面
正面
颗粒刻料号的是29FSRHB3FDDTM4,看样子是英特尔的颗粒。
rtl_nvme_flash_id 工具查出来的信息,与刻印的不同,为镁光的颗粒
- v0.16a
- OS: 10.0 build 26100
- Drive : 2(USB)
- Bridge : RTL
- Model : KINGSTON SNV2S2000G
- Fw : SBM02103
- HMB : 32768 - 65536 KB
- Size : 1953514 MB [2048.4 GB]
- LBA Size: 512
- Fw Str : [REALTEK_RL6577 L 3PH_p_tB47RV] []
- Controller: Realtek RTS5765/66
- Bank00: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
- Bank06: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
- Bank08: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
- Bank14: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
复制代码
通过 RTS5765DL_TC1N032R_VC0S032R_B47R_SSDMP_2.46.0.0_20211203 量产工具 Auto 出来的颗粒是 MT29F512G08EBLEE
在 FlashMaster 查询如下
- 料号:MT29F512G08EBLEE,厂商:美光,类型:NAND,容量:512Gb
- 位宽:x8,单元:TLC,制程:B47R,代:5
- 同步:是,异步:是,片选:1,通道:1,Die:1,R/B:1
- 电压:Vcc: 2.5V (2.35–3.60V), VccQ: 1.2V (1.14–1.26V)
- 封装:未知
- 控制器:SM3265AB, SM3265AC, SM2259XT, SM2259, SM2259XT2, SM2261XT, SM2263XT, SM2269XT, MAS1102
- 注释:
- 更多信息:企业级: 否
- 闪存ID:2CC30832EA30, 2CC30832EA31
- 由 FlashMaster 强力驱动 https://nand.gq
复制代码
(页面上写的是64 GB,复制出来就变成 512Gb)
用默认配置开卡失败
后来用Driving 强,最大容量 160 GB 重新开卡成功,大缩水 ,速度也很慢
不知道有没有什么选项能开多一点容量
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册
x
打赏
-
查看全部打赏
|