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本帖最后由 2n3055 于 2025-1-18 16:58 编辑
之前买到过一款电源适配器的半成品,所谓半成品,其实就是外壳没有进行超声波焊接而已
如果想用的话,需要自己想法把外壳粘上
这是它的参数,带有一个USB-A口和一个USB-C口,最大功率38W
平时充个手机充个平板什么的没问题
内核是这样的
架构是单端反激式开关电源,输出17V,然后通过DC-DC变成5V等电压共给USB口
其中,2个USB口共用17V母线,分别由自己的DC-DC电路降压输出。
今天突发奇想,这个电源适配器17V部分采用的是一个肖特基二极管进行续流
大电流下发热较大,如果把它换成一个理想二极管进行续流,效果如何呢?
于是进行试验,首先,在17V母线上接了3个串联的12V 35W射灯作为负载,
3个12V 35W射灯串联,17V供电时电流不到1.5A,正好用作测试
通电二十分钟后,用热成像测试低压侧续流二极管的温度,
80.2℃,这温度不低,如果电源满载的话,温度肯定还会更高。
说干就干,拆除原来的肖特基二极管,这里用的是一只MBR40150,
共阴极的肖特基二极管半桥。
用作替换的是理想二极管DK5V85R15ST1
说是理想二极管,实际是个结合了驱动电路的MOSFET,驱动电路通过检测电流方向控制MOSFET的导通和截止,
模拟二极管的工作,MOSFET有着极低的导通电阻,能够有效减低二极管压降造成的损耗,因此可以被视为“理想二极管”。
这是它的说明书,40A的连续电流用在这俩绰绰有余。
和原来的肖特基二极管对比,唯一不一样的是价格:
这肖特基半桥大概1大洋一个,这个理想二极管大概5大洋一个
都是TO-220绝缘封装,脚位也一样,可以原位替换
通电,还好,没有炸机短路
空载进行测试,输出电压17.37V,没有问题
继续接上同样的负载进行测试
通电二十分钟后,用热成像测量理想二极管的温度
可以看出,相较于原来的肖特基二极管,理想二极管的温升十分轻微;
现在室温是22℃,理想二极管的温度只有34.9℃,仅仅13K的温度变化。
用手触摸理想二极管,基本感受不到什么温度
注意:这种行为是绝对不提倡的,谨防烫伤和触电!!!
而此时电源高压侧的MOS和开关变压器反而成为了发热大户
这是结束测试撤除线路后的整体像
可以看出,高压侧MOS和变压器的温度依然较高
至此,试验结束,用理想二极管替代肖特基二极管后,同样负载下,二极管上的温升显著减低。
而电源工作正常,可以正常带载。应该说,确实能够降低二极管导通损耗,提高电源工作效率。
估算一下效率提高了多少呢?
DK5V85R15ST1的手册里结到环境的热阻是62.5℃/W,j鉴于原来的肖特基半桥封装与之一致,应该热阻也差不多。
之前用肖特基半桥时,元件相较于环境的温升是80.2℃-22℃=58.2K
而用理想二极管后,元件温升是34.9℃-22℃=12.9K,两者相差45.3K'
结合热阻数据,理想二极管比原来的肖特基半桥减少了约0.72W的损耗。
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