三星1c DRAM工艺大改能否扭转乾坤？HBM4量产前夜的关键抉择

Meise

在全球存储芯片市场硝烟弥漫的战场上，一场牵动行业神经的技术突围战正在上演。2025年开年之际，韩国科技巨头三星电子突然传出重大调整——其第六代1c DRAM工艺正经历颠覆性设计变更。这个看似微小的技术决策，实则关乎三星能否在即将到来的HBM4时代重新夺回话语权。去年HBM3产品线遭遇的滑铁卢仍历历在目，如今面对SK海力士和美光的步步紧逼，三星这次能否用"放大芯片尺寸"的逆向操作实现绝地反击？

据ZDNet Korea披露，三星自2024年下半年启动的1c DRAM工艺评估已进入关键阶段。这款被寄予厚望的第六代DRAM核心工艺，原本计划通过缩小芯片尺寸提升产能，却在量产前夕遭遇良率魔咒。数据显示，该工艺的稳定良率始终徘徊在60%-70%区间，远未达到量产标准。知情人士透露，问题的症结恰恰出在三星引以为傲的微型化路线上——过度压缩芯片尺寸导致制程稳定性大打折扣。

面对这一技术瓶颈，三星工程师团队作出了令人意外的决定：逆向调整设计方案，适度放大芯片物理尺寸。这一反常识的操作看似与行业追求的"摩尔定律"背道而驰，实则是以退为进的技术策略。通过牺牲部分理论产能，换取制程稳定性的根本提升。目前调整后的新方案已进入密集测试阶段，预计年中将完成工艺验证。若进展顺利，这项"放大版"1c工艺将成为三星冲击HBM4市场的关键筹码。

作为下一代高性能存储技术的重头戏，HBM4市场的角逐已进入白热化阶段。SK海力士凭借HBM3时代的先发优势持续领跑，美光也在加紧技术迭代。三星此次工艺调整的成败，直接关系到其能否在2025年底的HBM4量产窗口期实现弯道超车。值得注意的是，HBM4芯片对DRAM基础工艺的要求更为严苛，需要突破12层堆叠、更高带宽等多项技术瓶颈，这对任何厂商的底层工艺都是终极考验。

存储行业观察者指出，三星此次技术路线的调整凸显出芯片制造领域的新趋势：当工艺节点推进到3nm以下时，单纯追求物理尺寸缩小的传统路径正遭遇边际效应递减。如何在性能、良率和成本之间找到新平衡点，将成为未来存储技术突破的关键。对于经历HBM3风波的三星而言，这次工艺革新不仅关乎短期市场份额，更是一次重塑技术路线的战略抉择。随着年中验证节点的临近，这场存储芯片领域的"尺寸革命"即将迎来阶段性答案。