芯片巨头上演技术反击战！英特尔18A制程竟与台积电打成平手？

Meise

芯片行业里的奥林匹克传来捷报！在近日的国际固态电路大会上，英特尔亮出酝酿四年的杀手锏——18A制程最新进展显示，其SRAM存储单元密度已追平台积电N2工艺。更令人瞩目的是，这套结合了背面供电（PowerVia）和纳米片晶体管（RibbonFET）的「梅开二度」方案，正在动摇半导体三强格局。

技术宅们最关心的SRAM单元面积交出漂亮成绩单：高性能单元从Intel 3时代的0.03µm²压缩至0.023µm²，高密度版本更是达到0.021µm²。这意味着在指甲盖大小的区域里，能塞进38.1兆个存储单元，比三年前同级别芯片多出23%的「脑细胞」。

这套被内部称为「电力高速公路」的PowerVia技术，实则藏着精妙设计哲学：通过芯片背面单独铺设供电网络，把原本纠缠在一起的数据信号和电力输送彻底分家。就像给城市修建了地下综合管廊，既解决了传统工艺中的电压不稳顽疾，又让晶体管能更紧密地排列组合。

台积电实验室传来的压力测试显示，在同等7nm工艺节点下，英特尔的这套方案竟使芯片性能提升21%，功耗直降30%。不过真正的杀手锏在于，18A制程首次实现了逻辑芯片与存储单元的协同优化，这招「左右互搏」让AMD工程师直呼「玩出了新维度」。

值得玩味的是，就在发布会次日，英伟达传出正在评估英特尔代工服务的消息。虽然苹果A系列芯片暂时仍牢牢握在台积电手中，但知情人士透露，英特尔工程师团队已带着18A样片三顾硅谷，试图用「供电+晶体管」的双重技术优势，撬动那些需要极致能效比的AI芯片订单。

半导体分析师詹姆斯·王在行业简报中指出：「这场较量已从单纯制程竞赛，升级为架构创新的全面战争。」随着微软自研AI芯片、亚马逊定制服务器处理器等大客户需求井喷，谁能率先实现背面供电技术的量产突破，或许就能在2纳米时代抢得先机。

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如果  撬动了      某电 。。。