华为LDP-EUV光刻系统突破：放电造光挑战ASML霸权

Meise · 发表于 2025-3-9 10:07:39

本帖最后由 Meise 于 2025-3-9 10:18 编辑

东莞实验室这回整了个大动静，技术大牛们脑洞大开——既然ASML用激光打锡球能搞出极紫外光，咱直接上高压电火花照样行！这套国产LDP-EUV设备里，金属锡在电极间劈里啪啦放电，愣是电离出13.5纳米波长的光刻用光，硬核操作看得老外直瞪眼。

别看现在试验机每小时只能整5片晶圆，还不到ASML最新设备220片产能的零头，但这可是国产货头回摸到7纳米制程的门把手。更带劲的是，这套系统直接把死贵的高能激光器和控制系统给踢出局，设备个头瘦身成功，电费账单估计也能省不少。要知道荷兰人那台High-NA机器要价3.8亿美元，咱这土法炼钢的省钱方案要是跑通了，价格绝对有惊喜。

不过现实骨感得很，眼下还有三大关卡要闯：得把龟速提到每小时30片才算及格线，光刻精度得卷到10纳米以内，还要和中芯国际现有产线无缝衔接。听说国内芯片厂的技术咖们正在连夜肝进度，要是按计划走，明年这时候说不定真能看见量产机下线。

有意思的是，三年前咱连193纳米浸没式光刻机的零件都凑不齐，现在不光把这技术吃透，还在EUV领域整出个野路子。虽说现在谈超越还早，但至少给全球半导体界秀了把操作——光刻机这玩意儿，中国人还真能玩出新花样！