北大研发全球首款二维GAA晶体管：性能超台积电3纳米40%

Meise

2025年3月13日，北京大学彭海琳、邱晨光教授团队在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制出全球首个二维全环绕栅极晶体管（2D GAAFET）。实验室数据显示，该技术较台积电3纳米工艺性能提升40%，能效提高10%，为国产半导体技术开辟新路径。

技术突破三大亮点
• 使用新型材料硒氧化铋（Bi₂O₂Se），在原子级厚度下保持优异导电性
• 晶圆级多层堆叠单晶结构突破传统硅基限制
• 全环绕栅极设计有效控制电流泄漏问题
研究团队通过材料创新绕开硅基晶体管物理极限，在超微尺寸下实现更高载流子迁移率。彭教授表示："这项技术不是对现有工艺的改进，而是换道超车的新尝试。"

产业化仍存挑战
尽管实验室成果亮眼，该技术距离商用还需跨越量产关卡。当前我国极紫外光刻机等设备尚未完全成熟，二维材料的大规模生产仍是难题。业界分析指出，这项突破更多体现在技术储备层面，实际应用可能需等待2026年后相关产业链配套完善。

值得关注的是，二维GAA技术与传统硅基芯片制造设备存在兼容可能。若未来实现技术融合，或将催生混合架构芯片，为突破国际技术封锁提供新思路。（本文实验数据来自《自然》期刊论文）

人艰不拆了

跟我研制的万维晶体管比起来，北大这个还不值一提，哈哈，可惜目前银河系没有能生产我的设计的设备