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[SMI] 问:TLC开成模拟SLC模式后寿命和保存期限如何?

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发表于 2025-3-22 01:24:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

爱科技、爱创意、爱折腾、爱极致,我们都是技术控

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这几天翻了很多资料,发现2258XT和2259XT都支持开成ActSLC模式,也就是只取最快速的一个位去读写,那么问题来了:

1、以ActSLC方式开卡的TLC颗粒在读写上肯定能和SLC持平,但是PE循环次数能一样么?
2、以ActSLC方式开卡的TLC颗粒在数据存储的有效时间上和原生SLC一样么?

来几个有测试过的大佬我看看


发表于 2025-3-22 22:52:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 leoooooooooo 于 2025-3-22 22:56 编辑

模拟slc,是为了写入更快,寿命什么的原来是啥还是啥
pslc是硬把tlc的三个单元当成一个单元来记录,即便只有原来三分之一的容量 也让烂片能多少发挥点作用
还有英特尔有个什么制程相当于”官方Pslc“,不过消咱普通消费者无法证明或者比较他的寿命到底怎么样

总之,每种类型都有上中下等马,垃圾mlc不如优质TLC这很正常,同样的片不同主控故障率差异大也很正常
比较这些意义真不大,实在在乎了,就买自己能接受的价位里最好的
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 楼主| 发表于 2025-3-22 23:09:14 | 显示全部楼层
leoooooooooo 发表于 2025-3-22 22:52
模拟slc,是为了写入更快,寿命什么的原来是啥还是啥
pslc是硬把tlc的三个单元当成一个单元来记录,即便只 ...

没毛病,那还是继续当TLC用
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发表于 2025-3-22 23:49:27 | 显示全部楼层
这就不得不请出精神小伙来给各位说道说道“pSLC”比原生SLC还要屌爆的寿命和上百年的保存期限了
有请楼下精神小伙
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 楼主| 发表于 2025-3-23 00:07:38 | 显示全部楼层
技术宅小唐 发表于 2025-3-22 23:49
这就不得不请出精神小伙来给各位说道说道“pSLC”比原生SLC还要屌爆的寿命和上百年的保存期限了
有请楼下精 ...

这帖子都开好些天了也没见到他进来,我也迷惑呢
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发表于 2025-3-24 09:01:32 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
这个问题本人也是比较疑惑的,也是看了很多大佬的观点,本人觉得
决定pe循环次数的是靠绝缘层吧,如果是写烂TLC/QLC,开PSLC也是苟延残喘
数据存放时间能力跟绝缘层应该也是有关系的
仅个人看法 可能不对
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 楼主| 发表于 2025-3-24 14:53:51 | 显示全部楼层
南觞若 发表于 2025-3-24 09:01
这个问题本人也是比较疑惑的,也是看了很多大佬的观点,本人觉得
决定pe循环次数的是靠绝缘层吧,如果是写 ...

从设计角度确实是纯看绝缘层,我就是好奇他们说的pSLC难道真的能突破限制,毕竟能把那么薄的筛子加密成铁丝网也算是黑科技了嘿嘿
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发表于 2025-3-24 16:47:31 | 显示全部楼层
对pSLC和2246EN强壮页Strong Page的理解,希望可以终结闪存原理和寿命差别之争LZ可以参考一下我写的这篇,这只是我自己的理解,不一定对,但是那个SLC佬真的是SB,还说所有NVMe主控都不能开pSLC都是垃圾,如果我告诉他我手里就有一片PS5013的pSLC,卖他1000块钱你看他敢不敢回话。
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 楼主| 发表于 2025-3-24 16:54:15 | 显示全部楼层
007 发表于 2025-3-24 16:47
对pSLC和2246EN强壮页Strong Page的理解,希望可以终结闪存原理和寿命差别之争LZ可以参考一下我写的这篇, ...

那孩子全依赖奇怪的脑补去扩充所谓的知识,都三年了还这么愣就很牛
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发表于 2025-3-24 20:33:10 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
007 发表于 2025-3-24 16:47
对pSLC和2246EN强壮页Strong Page的理解,希望可以终结闪存原理和寿命差别之争LZ可以参考一下我写的这篇, ...

那鬼佬玩pslc走火入魔了
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发表于 2025-3-24 22:05:23 | 显示全部楼层
https://www.mydigit.cn/thread-511074-1-1.html
人家发帖骂你们了,“转不成slc的主控都是垃圾直接扔垃圾堆或者卖给小白sb们用。”
不过,人家作为专业卖硬盘的,商业吹嘘也正常。


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 楼主| 发表于 2025-3-25 03:18:12 | 显示全部楼层
晴空行云 发表于 2025-3-24 22:05
https://www.mydigit.cn/thread-511074-1-1.html
人家发帖骂你们了,“转不成slc的主控都是垃圾直接扔垃圾 ...

原来是个捡垃圾重新开卡的贩子,那就正常了哈哈
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发表于 2025-3-25 09:39:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 wurenji 于 2025-3-25 10:04 编辑
007 发表于 2025-3-24 16:47
对pSLC和2246EN强壮页Strong Page的理解,希望可以终结闪存原理和寿命差别之争LZ可以参考一下我写的这篇, ...

你拿出PS5013的pSLC,他又该说NVMe连续读写速度没用了,速度快影响寿命你没看他做的盘都是主控频率改最低么

另外给你帖子捉个虫,VccQ其实是IO接口的电压,和闪存单元编程的电压无关,后者实际上是由闪存Die上的电荷泵输入Vcc电压生成的一个较高的电压Vpp,早期的并口NOR闪存这个电压需要外接,一般是12-15V,从SPI Flash和48脚NAND开始这个电压的生成就是片上了。然后随着NVDDR版本的升级,IO接口电压降低是为了提高速率,更高的电压会带来串扰,并且低电压也有助于降低IO接口部分的功耗。
不仅是闪存领域,像是DRAM等等也是有VccQ的,也是随着世代更新越来越低
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发表于 2025-3-25 10:07:45 | 显示全部楼层
wurenji 发表于 2025-3-25 09:39
你拿出PS5013的pSLC,他又该说NVMe连续读写速度没用了,速度快影响寿命你没看他做的盘都是主控频率 ...

感谢大佬指正,以前确实不知道VccQ并不是编程电压,Vpp的确是更高的电压。
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发表于 2025-3-25 10:09:36 | 显示全部楼层
晴空行云 发表于 2025-3-24 22:05
https://www.mydigit.cn/thread-511074-1-1.html
人家发帖骂你们了,“转不成slc的主控都是垃圾直接扔垃圾 ...

感谢发出来,已经闲鱼预防性拉黑了。这个pSLC佬就是一缩头乌龟,都不敢过来对线。他敢过来我就发出来PS5013 pSLC的实拍图、固件号和Phison_NVMe_flash_id的读取结果,当场把他狗脸打肿!!!
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发表于 2025-3-25 16:52:08 | 显示全部楼层
007 发表于 2025-3-25 10:09
感谢发出来,已经闲鱼预防性拉黑了。这个pSLC佬就是一缩头乌龟,都不敢过来对线。他敢过来我就发出来PS50 ...

毛的对线,很早以前,在一个坛友的一个求助帖里,这逼不帮忙解决求助帖提出的问题,反而在评论区水2258XT的PLSC,我就回复说,数据的可靠性从来不是依靠单设备,多备份、raid才是解决方案。真正需要冷数据保持能力的场景,人家直接上机械盘和磁带库,后来,他就把我拉黑了.....
这逼喜欢在别人帖子下面留言 2258xt、pSLC、冷数据30年等等,完全和帖子毫不相干的,无语的很!而且发的一些帖子,全是是而非,提出问题,不给解决方案,大部分就是秀2258xt相关的盘,主要目的应该是推广他卖的硬盘。
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 楼主| 发表于 2025-3-25 19:19:52 | 显示全部楼层
晴空行云 发表于 2025-3-25 16:52
毛的对线,很早以前,在一个坛友的一个求助帖里,这逼不帮忙解决求助帖提出的问题,反而在评论区水2258XT ...

刚才看了一眼他一直在回自己的帖子,然后早上还在骂人得癌,现在改了,还连续自顶,多少带点病

难道他真的不知道自己技术差而且没朋友么?我看不太像
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发表于 2025-3-25 22:54:41 | 显示全部楼层
wurenji 发表于 2025-3-25 09:39
你拿出PS5013的pSLC,他又该说NVMe连续读写速度没用了,速度快影响寿命你没看他做的盘都是主控频率 ...

1.新制程新工艺硅层都差不多,都在怼层数,不怼单晶片容量,具体多薄不知道
2.现在200+层的闪存内部给浮栅充电的升压部分最高就2.xV 3.xV,视制程和厂家不同,那种12V 15V都是几十年前过去式的了,低电压有利于闪存内部的电压比较器和译码器达到更快的速度,具体原理这里说不完,反正半导体一直以来的趋势就是更低的电压和更快的速度
3,精神小伙还发过帖子说什么主控可以直接对闪存充电电压自动降低之类的**脑洞逆天言论,我都直接无视他了,没事就来论坛看看电子宠物又发表了什么**脑洞逆天言论
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发表于 2025-3-26 10:24:42 | 显示全部楼层
晴空行云 发表于 2025-3-25 16:52
毛的对线,很早以前,在一个坛友的一个求助帖里,这逼不帮忙解决求助帖提出的问题,反而在评论区水2258XT ...

所以我早都放弃跟他对线了,我说现在大家买铠侠、三星、致态之类的原厂盘就是图个全新没法清零+原厂调校的固件,这才是真正的稳定,他就说不能自己开pSLC的主控和盘都是垃圾你收过来那些坏盘开pSLC,真正剩余的寿命能比得上原厂TLC盘一根毛么
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