三星 2nm 良率被曝提至 40%，首发芯片Exynos 2600计划 11 月量产

数码芝华士

韩媒 asiae 于 4 月 10 日发布博文，消息称三星计划 2025 年 11 月量产首款采用 2 纳米工艺的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 机型能顺利搭载 Exynos 2600，三星有望借此展示 2 纳米技术实力，吸引更多客户。

IT之家援引博文介绍，新任 Foundry 事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后取得重大进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率并调整经营策略，全面检视了 2 纳米工艺的生产线和运营模式，不仅巩固技术优势，还拓宽了市场布局。

他积极拓展三星的客户群，从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司，增加成熟制程订单，以降低固定成本并提升先进制程的竞争力。

Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around（GAA）技术，相较传统 FinFET 工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，适合高性能芯片需求。

三星此前已率先实现 3 纳米 GAA 量产，但受限于低良率，未能扭转代工业务的亏损局面。据悉，2 纳米工艺的良率已从年初的 20-30% 提升至 40% 以上，远超 3 纳米时期的表现。

业界认为，若 Exynos 2600 按计划搭载于 2026 年一季度发布的 Galaxy S26，将为三星代工业务注入强心剂，助力吸引外部客户。

然而，三星与行业龙头台积电的差距依然明显。台积电的 2 纳米初期良率已达 60%，而量产通常需良率稳定在 70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺，以缩小差距。

jtwbs

40%成本也还是很高啊