消息称美光加速 HBM 内存 TC 键合设备采购，推动 HBM3E 扩产

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《韩联社》当地时间昨日报道称，美光正在加速采购韩国半导体设备厂商韩美半导体（HANMI Semiconductor）所产 TC 键合设备，为 12Hi HBM3E 的扩展建立设备基础。

报道表示，美光去年对韩美半导体 TC 键合机的采购量约为 30~40 台，而今年上半年的订单规模就超过了这一水平。据悉另一家 TC 键合设备供应商日本新川 SHINKAWA 的机台仅能满足 8Hi 键合的需求，唯有韩美半导体的产品能实现 12Hi 的 TC 键合。

▲ 韩美半导体的 HBM 内存 TC 键合设备

另一家韩媒 ChosunBiz 的报道指出，美光有望到今年底将 HBM 内存的产量提升到每月 6 万片晶圆，这接近 HBM 领域龙头 SK 海力士现有水平的一半，有助于美光实现 HBM 市占齐平整体 DRAM 内存的目标。

此外，美光计划 2026 年在新加坡、日本广岛美国爱达荷州工厂制造 HBM，美国纽约州工厂的 HBM 产线也将于 2027 年投运。