英特尔谈 14A 可能使用 High NA EUV：两种光刻技术设计规则兼容

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IT之家 4 月 30 日消息，英特尔并未在 2025 Intel Foundry Direct Connect（英特尔代工大会）上明确其 Intel 14A 先进节点是否会引入 High NA EUV 光刻技术，不过代工部门高管纳加・钱德拉塞卡兰还是就相关议题发表了看法。

他表示，英特尔仍有在 14A 制程的 EUV 光刻步骤中仅使用传统 Low NA 或部分导入 High NA 的选项。而这两种方案在设计规则上是兼容的，这意味着无论英特尔选择哪条技术路径，都不会对客户造成影响。

英特尔已在其俄勒冈州研发晶圆厂安装了第二套 ASML 提供的 High NA EUV 光刻系统，表现符合预期。英特尔的 High NA EUV 图案化技术开发正稳步向量产迈进，同时已掌握了 High NA EUV 在 18A、14A 级节点的数据。