英特尔发布EMIB-T技术路线图：2028年单封装或配24+颗HBM

Meise

这届芯片封装技术玩出新境界了！在2025英特尔代工大会上，工程师们掏出三张技术王牌——全新的EMIB-T、Foveros-R和Foveros-B封装方案，现场PPT看得人直呼过瘾。

最抢眼的当属EMIB-T，这名字里的"T"可不是摆设，说的是TSV硅通孔的黑科技。工程师在基板里搞垂直电流通道，让电力传输不再绕远路。这种巧妙设计直接把直流/交流电噪声压到地板级，信号稳定性直接拉满。最绝的是现有2.5D封装用户能轻松转用，完全不用推翻重来。

现场展板泄露了未来四年发展蓝图：到2026年，用20+个EMIB桥整出12cm见方的封装，妥妥塞进12组HBM内存；再等两年到2028年，封装尺寸升级到12cm×18cm，HBM数量直接冲破24大关。这波操作可不是空头支票，现场照片显示工程师已搞定120mm×120mm封装原型。

要说技术革新点，得掰开三个关键词： 1️⃣ EMIB-T：专治各种电力绕路不服 2️⃣ Foveros-R：靠RDL重布线层玩堆叠 3️⃣ Foveros-B：桥片绝活秀翻天

这次技术发布直指产业升级，明摆着要拿下HBM4和UCIe芯片的江湖地位。比起传统方案动不动就要重新设计的麻烦，英特尔的封装过渡计划堪称业界良心。从现场展示的时间表看，未来三年封装技术要上演三级跳——先搞定容量翻倍，再实现尺寸突破，最后完成HBM数量大爆发。（截至2025年4月30日技术展示内容）