三星HBM4密谋逆袭 密送英伟达谷歌试水

Meise

半导体圈又有大动作！三星电子近日在财报会议自曝家底：存储业务副总裁金宰俊承认，正在为英伟达、博通和谷歌定制HBM4内存样品，计划明年全面铺货。这被视作对SK海力士和美光的绝地反击——过去两年三星在AI加速器内存市场被两家对手甩开，HBM3市占率跌破三成。

知情人士透露，三星正在两条腿走路：一边抓紧量产改良版HBM3E 12H堆叠内存，打算今年下半年抢回部分订单；另一边押注自家4纳米工艺+10纳米1c DRAM打造的HBM4，要用全球最先进的制程组合翻盘。上月底流出的样品显示，新型内存单元厚度缩减到0.7微米，理论带宽比现款提升25%。

值得玩味的是三星的战略转变：此前坚持全产业链自主可控，现在却向英伟达开放定制权限。分析师认为这是向SK海力士取经——后者靠给英伟达H100显卡特供HBM3内存，吃下全球75%的市场蛋糕。韩媒《韩国经济新闻》爆料，三星HBM4工程样品已通过英伟达A100芯片兼容测试，但热管理仍存在瑕疵。

虽然官方宣称开发进度正常，但业界普遍担忧三星会重蹈覆辙——去年首批HBM3产品因良率不足遭客户退货。美光趁机抢下Meta大单，成为最大变量。正如科技媒体Wccftech所言："纸面参数可以打平SK海力士，但实战才是检验真理的标准。"

行了吧

大胆地试水吧，淹不了的