复旦PoX存储芯片破纪录：读写速度达400皮秒全球最快

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复旦大学周鹏、刘春森团队近日在《自然》杂志发表文章称——他们团队所研发的"PoX"皮秒级闪存芯片彻底刷新现有半导体存储性能极限。这款新型存储器单次读写速度达400皮秒（0.4纳秒），每秒可完成25亿次操作，性能数据较传统U盘提升百万倍量级。

传统闪存需电子穿越存储通道前进行能量积累，类似运动员赛前热身。研究团队基于准二维泊松模型开发的狄拉克能带结构技术，使二维材料中的电子实现弹道式传输。周鹏教授解释道："新存储单元在极短时间内即可完成传统设备需千次循环的操作周期。"

该技术已展示商业应用前景。团队计划未来3-5年实现兆级集成量产，或推动计算机架构革新——内存与硬盘功能合二为一，千亿参数AI模型本地化部署成为可能。据同期《自然》论文数据对比，PoX芯片性能已达前代纪录保持者的1250倍。

目前全球半导体产业密切关注该技术进展。虽然商业化授权需待兆级集成验证，但其突破性设计已展现打破"存储墙"的潜力。存储行业或将迎来技术范式变革，GPU直连存储的新型计算架构正在酝酿之中。