英特尔亮剑未来芯片：12倍光罩巨无霸集成5大尖端科技

土耳鸡烤鸡 · 发表于昨天 08:37

本帖最后由土耳鸡烤鸡于 2025-5-9 08:38 编辑

（美国圣何塞现场）在5月8日召开的英特尔代工大会上，全球第二大芯片制造商放出了王炸级技术路线图。英特尔代工服务负责人凯文·奥巴克利首次展示了融合五种尖端工艺的"超级芯片方案"，这块集齐当今半导体黑科技的复合体，尺寸达到当前光罩标准的12倍以上！

这场技术秀的核心是把不同功能的芯片模块像拼图般精准组合：底层采用18A-P工艺制造的基础I/O芯片，不仅集成224G超高速传输通道，还内置了光子通讯核心；中层18A-PT工艺的计算模块相当于系统大脑；在此基础上垂直堆叠的AI加速器和图形处理器，则由更经济的14A-E工艺打造。特别值得注意的是，整套系统配置了HBM5和LPDDR5x双重存储结构，通过英特尔独门的EMIB-T封装技术实现芯片间的高速互联。

"这相当于用十八般武艺打造超级战士。"奥巴克利指着现场陈列的工程样机解释道。虽然这台由多块晶圆拼接的试验品还处于概念阶段，但其采用的芯粒互联标准已达到UCIe-A规范要求。按照规划，要实现同等技术规格的量产芯片，至少要等到三年后——也就是2028年才会正式登场。

这套方案最精妙之处在于量身定制的工艺匹配：需要高速传输的接口单元用上最先进的18A工艺，对成本敏感的图形模块则采用成熟的14A工艺。通过3D堆叠技术，不同制程的芯片被整合在同一个封装内，既能控制总体成本，又保证了核心模块的性能领先。

现场工程师透露，此次展示的技术组合只是英特尔"混合制程战略"的冰山一角。未来随着20A、18A等新工艺的成熟，会有更多模块化芯片方案问世。不过要实现12倍光罩的庞大规模，不仅要解决散热和良品率问题，还需要突破现有封装设备的物理极限。

在会后媒体访谈中，奥巴克利特别强调，这次技术预演并非空头支票："我们手里已掌握量产所需的所有基础技术，现在要做的就是把它们按正确的方式组合起来。"随着台积电、三星在先进制程领域的步步紧逼，英特尔这次秀出的"技术缝合术"，无疑为全球半导体产业重新划定了竞争赛道。