三星2纳米良率冲至40% 英伟达高通转单施压台积电

Meise

全球芯片代工市场风云突变！麻瓜慢讯独家获悉，就在台积电本周宣布投资150亿美元升级1.4纳米产线之际，三星半导体在韩国平泽工厂实现关键技术突破——其2纳米全环绕栅极（GAA）工艺试产良率已稳定突破40%，较今年1月试产初期提升超10个百分点。

这场纳米级较量的时间线清晰可见：

2025年1月：三星启动SF2工艺首次试产，良率不足30%
2025年3月：台积电宣布2纳米制程获苹果、英伟达等巨头预定
2025年5月15日：三星官宣良率突破40%，同期台积电内部文件显示其2纳米良率达60%

据某晶圆厂设备供应商证实，英伟达正在并行测试三星与台积电的2纳米样品，计划将部分数据中心GPU订单分流至三星；高通则着手设计基于SF2工艺的骁龙8 Gen5原型芯片。尽管三星当前良率仍落后对手，但其代工报价较台积电低约18%，这对年采购额超50亿美元的头部客户具备实质吸引力。

行业分析师指出，三星的快速追赶正在改变市场格局：其五个月内实现10个百分点的良率爬坡，远超7纳米时代同期进步速度。而台积电面临的危机不止于此——为应对三星进逼，其1.4纳米研发团队已提前启动三班制攻坚。

麻瓜慢讯研判：这场制程大战的真正拐点将在2026年初显现，届时三星2纳米能否实现量产级60%良率，将决定其能否撼动台积电七成市场份额的霸主地位。

wangcanbie

三星的2纳米有水分

wangcanbie

三星良率也不高，√台积电没威胁