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在人工智能算力需求激增的2025年,美国亚利桑那州坦佩市近期传来行业关键消息:先进封装企业Deca Technologies宣布与IBM达成战略合作,将在加拿大魁北克省布罗蒙特的IBM先进封装工厂部署其M-Series™扇出型中介层技术(MFIT™)及自适应图形化工艺(Adaptive Patterning®)。这项合作标志着北美半导体供应链在异构集成领域迈出关键一步。
作为北美最大半导体封测基地之一,IBM布罗蒙特工厂历经超过五十年技术沉淀,近年投入数亿美元升级芯片级封装能力。此次引入的MFIT技术,将利用嵌入式桥接芯片实现处理器与存储器的终极集成,其高密度互连特性可使信号传输延迟降低40%,同时提供比传统硅中介层低30%的制造成本。Deca官方数据显示,其M系列技术全球出货量已突破70亿单位,主要应用于智能手机主处理器封装。
"在AI时代,先进封装与芯粒技术是提升计算效率的核心。"IBM芯粒与先进封装业务发展主管斯科特·西科尔斯基指出,MFIT技术能让客户产品上市周期缩短8周,特别适用于数据中心加速卡等大型AI设备。该技术通过可扩展的中介层设计,支持多达12个芯粒的2.5D集成,每个中介层可承载超过5000个微凸块连接点。相较于传统全硅中介层方案,MFIT在信号完整性方面提升35%,设计灵活度增加60%。
Deca创始人兼CEO蒂姆·奥尔森强调,IBM五十余年的半导体创新史与Deca经过市场验证的封装技术形成完美互补。布罗蒙特工厂计划在2026年二季度实现MFIT技术量产,首批产品将服务于北美超算中心与云端服务商。目前该厂已建成占地1.2万平方米的千级洁净室,配备30台全自动倒装芯片键合机。
此次合作的技术核心——MFIT平台,建立在Deca第一代M-Series技术基础之上。该技术自2018年商用以来,累计出货量突破70亿颗芯片,被三星、小米等厂商广泛应用于旗舰手机SoC封装。第二代MFIT技术专为芯粒异构集成设计,支持多种芯片材料的混合封装,其自适应图形化工艺可实现5微米级线路精度,介电层厚度控制在3微米以内。
行业观察家注意到,这项合作恰逢美国《芯片与科学法案》二期补贴发放窗口期。随着台积电、三星等企业在先进封装领域加速布局,IBM与Deca的结盟或将重塑全球半导体供应链格局。双方联合声明透露,正在开发基于玻璃基板的三维集成方案,目标在2027年实现0.8微米级互连密度,该技术预计可使HBM内存带宽再提升80%。
根据Deca官网披露,其自适应图形化技术已成功应用于5G射频模块封装,可将信号损耗降低至0.15dB/mm。公司第一代扇出技术自2016年量产以来,保持着99.995%的出厂良率记录。此次与IBM的合作协议包含技术交叉授权条款,双方将共享12项核心专利,涵盖晶圆级重组、热应力控制等关键工艺节点。
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