无需EUV也能到2nm工艺 国产专利4年前已有准备

不言不贤

快科技12月6日消息，在先进工艺发展路线中，5nm以下节点都转向了EUV工艺，DUV光刻微缩到7nm就已经很难，但这显然不是国内发展的极限，未来可能一路做到2nm级别。

国内的半导体工艺在未来几年中需要在无EUV的情况下发展，但是即便不考虑外部制裁的影响，追求DUV光刻工艺极限也是需要发展的，国内也早就在做这些研究。

集邦科技科技日前的报道也旧事重提，指出华为早在2021年就发表了相关研究论文，提交的专利申请介绍了SAQP（自对准四重图案化）的技术，在没有EUV光刻机的情况下也能做到2nm级工艺。

该专利使用DUV光刻机及SAQP做出的芯片栅极距低于21nm，这正是2nm工艺的门槛水平。

这里需要强调的是，很多报道中把SAQP翻译成了四重光刻，这是错误的，四重图案不等于四重光刻，这两个意思有天渊之别，四重光刻不论技术上还是成本上都是不可接受的，几乎没有可能性。

此外，2nm工艺也不是华为等机构的终点，华为还申请了大量GAA环绕栅极晶体管以及CFET互补氧化物晶体管相关的专利，后者则是公认的1nm以下到0.1nm节点的关键技术之一。

以上提及的主要是技术专利，不等于这些技术马上就能量产，但是这些技术研究证明了国内在先进工艺上的探索不仅不会停止，而且会走出不一样的路线。

这不仅会让国内的芯片不再受外部制裁的影响，更重要的是当国内用DUV路线做出2nm芯片时，台积电、三星、Intel等公司用昂贵的EUV甚至High NA EUV光刻机生产芯片，哪边会更怕竞争力不足呢？