铠侠携手闪迪揭开第九代2Tb QLC 3D闪存面纱，接口速度飙至4.8Gb/s

麻薯滑芝士

哈喽！各位每天刷SSD拆解贴、对NAND闪存从SLC到MLC再到TLC和QLC的代际演进路线比背自家户口本还熟的存储发烧友，各位在数据中心里管着PB级存储集群、正为AI训练产生的海量检查点写入和冷热数据分层调度愁到掉头发的IT基础架构工程师，各位在云计算大厂做对象存储选型、对每TB采购成本和颗粒耐久度之间的微妙平衡点锱铢必较的存储方案架构师，各位在自动驾驶和具身智能领域搞模型部署、对大容量低延迟存储有着近乎苛刻需求的AI应用开发者，还有那些纯粹就是自己攒了一台全闪NAS、想提前摸清下一代QLC颗粒什么时候能量产铺货再决定要不要等的数码折腾党——今天咱们要聊的这个事儿，绝对能让你们这群人全都精神为之一振。就在2026年8月12日，铠侠株式会社这家铠侠控股株式会社旗下的子公司（在东京证券交易所的股票代码是285A），以及闪迪公司这家在纳斯达克交易所股票代码为SNDK的企业，两家联手对外揭晓了双方共同研发的第九代高性能2Tb QLC 3D闪存存储器技术。Windows Latest在2026年8月12日同步刊发了这篇报道，把铠侠和闪迪这次发布的所有技术细节都完整地记录了下来。这项新技术诞生的核心使命，就是为了支撑AI驱动型基础设施日益增长的存储需求——随着生成式AI从文本对话扩展到图像生成、视频合成、甚至物理世界交互，AI工作负载对存储容量和读写性能的要求正在以惊人的速度攀升，传统的TLC闪存在成本上面临越来越大的压力，而QLC闪存凭借更高的存储密度和更低每比特成本，正在成为AI数据湖和冷热分层存储体系中不可或缺的一环。根据行业研究数据显示，2026年第一季度全球NAND闪存存储市场营收达到460亿美元，其中面向数据中心服务器的企业级SSD需求激增，在2026年第一季度已占据NAND市场总量的43%，预计到2026年底将超过60%，这一数据意味着企业级SSD正在取代智能手机成为NAND Flash最大的单一应用市场，而QLC SSD在企业级市场的渗透率预计2026年将达到30%，这种市场需求的剧烈膨胀正是铠侠和闪迪迫不及待推出第九代QLC技术的根本动力。

在正式开始拆解这项新技术之前，咱们得先搞清楚一个基础概念：什么是QLC，以及它为什么对眼下的AI基础设施这么重要。QLC的全称是Quad-Level Cell，也就是四级存储单元，每个存储单元可以塞进4个比特的数据，相比TLC（Triple-Level Cell，三级存储单元）每个单元3个比特的存储方式，存储密度直接提升了约33%。这就意味着，在同样的物理空间里，QLC闪存能够装入更多的数据，从而大幅压低每GB的制造成本。但QLC也有它天生的短板——写入速度相对较慢，写入寿命也较短，所以在过去几年里，QLC主要被用在读取密集型场景，比如视频监控存储、冷数据归档、消费级大容量SSD等领域。然而，随着AI技术，特别是大模型训练和推理过程中产生的大量中间数据、检查点文件和日志数据，对存储容量的需求已经到了一个传统TLC方案难以在经济上承受的地步。这时候，QLC闪存如果能解决写入性能和寿命的问题，就有机会在AI基础设施中扮演更重要的角色。铠侠和闪迪这次联合推出的第九代2Tb QLC 3D闪存，正是朝着这个方向迈出的关键一步。这里头的2Tb指的是单颗裸die的存储容量，也就是2太比特，折合250GB，单颗颗粒就能存下普通人硬盘里的大半库存，这种级别的存储密度对于企业级SSD和AI存储阵列来说，意味着可以在同样体积的封装里塞进前所未有的总容量。

咱们来看看这项新技术具体有哪些硬核突破。根据铠侠和闪迪官方联合发布的资料，这项第九代高性能2Tb QLC 3D闪存存储器技术，展示了架构创新如何帮助存储以AI驱动型工作负载所需的高速节奏向前推进，同时支持更具资本效率的制造方式。这里面有两个关键词值得特别注意：一个是"架构创新"，一个是"资本效率"。架构创新指的是两家公司在存储单元阵列和CMOS逻辑电路之间的连接方式上做了根本性的改进；资本效率则意味着这项技术在生产过程中不需要对晶圆厂进行大规模的设备改造，能够在现有产线上以相对较低的投资成本实现量产，这对于NAND闪存这样一个资本密集型产业来说，是一个非常现实的竞争优势。在当今这个AI投资狂飙突进的时代，谁能以更少的资本开支换取更先进的产品，谁就能在接下来的市场卡位战中占得先机。据摩根士丹利等机构观察，NAND行业自2022年以来一直处于供过于求状态，但供需拐点即将到来，2026年出现2%的NAND短缺，而厂商供给侧却表现出了前所未有的克制，未来三年NAND行业的资本开支占销售额的比例将降至15%-16%的水平，作为对比过去十年这一比例常年维持在30%-50%，这种"低投入、高需求"的剪刀差局面，恰恰印证了铠侠和闪迪"资本效率制造"路线的先见之明。

这项新技术之所以能够实现性能上的大幅跃升，核心在于它沿用了铠侠和闪迪联合开发的CBA架构，也就是CMOS directly Bonded to Array，翻译过来就是"CMOS直接键合到存储阵列"技术。CBA架构的精髓在于，它把存储单元阵列和CMOS逻辑电路分别在不同的晶圆上制造，然后再通过先进的键合工艺把它们面对面堆叠在一起，而不是像传统方案那样把两者集成在同一块晶圆上。这种做法的好处非常明显：存储单元阵列和CMOS逻辑电路可以各自采用最优化的制造工艺，互不拖累，从而在性能和成本之间取得更好的平衡。在这次第九代产品中，铠侠和闪迪将先进的CMOS晶圆与他们久经验证的存储阵列平台结合在了一起，再加上重大的设计和器件创新，最终实现了性能的提升，并能够更快地将先进的存储解决方案部署到云端和数据密集型应用中。CBA架构的意义远不止于性能提升，它实质上重构了NAND闪存的技术演进方式——让存储阵列和逻辑电路这两条技术线可以各自独立快跑，而不必被对方拖慢节奏。具体到制造工艺层面，CBA技术是在第八代BiCS FLASH中实现产品化的，它通过在CMOS晶圆和存储阵列晶圆的表面分别形成铜键合垫片，然后将两片晶圆通过铜直接键合工艺贴合在一起，垫片之间的表面高度差需要控制在纳米级别，这种精度相当于在东京巨蛋体育馆那么大的面积上把表面平整度控制在一张复印纸的厚度以内，而两片300毫米晶圆的对位精度更是要控制在数百纳米以下，这种工艺难度堪比高尔夫球手从200码外把球精准落到距离旗杆仅几毫米的位置。

具体到性能数据上，这次第九代2Tb QLC相比上一代也就是第八代2Tb QLC，带来了哪些实实在在的提升呢？根据官方发布的信息，主要有三个维度的改善。第一个维度是写入和读取带宽的提升，这得益于6-plane架构以及一系列性能增强措施。6-plane架构的意思是把存储阵列划分为6个独立的平面，每个平面可以同时执行读写操作，从而大幅提升并行度和数据传输效率。相比传统的单平面或双平面架构，6-plane架构能够在同样的时间内处理更多的数据请求，这对于AI训练中频繁的检查点写入和模型参数读取场景来说，意义非常重大。想象一下，一个千亿参数的大模型在训练过程中，每隔几分钟就要把整个模型状态写入一次存储系统，单次写入量可能高达数百GB，如果没有足够高的写入带宽，GPU集群就会被迫停下等待存储层追上来，这种等待对于动辄几千块GPU的集群来说，每一分钟的闲置都是天文数字的算力浪费。第二个维度是写入和读取能效的改善，这意味着在执行同样的读写操作时，消耗的电能更少。对于数据中心运营商来说，能效改善直接关系到运营成本的降低，尤其是在电力成本持续上涨、算力需求爆炸式增长的当下，这一点显得尤为重要。一块SSD在写入1TB数据时如果能耗能降低哪怕几个百分点，当这个量级放大到数据中心成千上万块SSD、每天PB级的写入量时，节省下来的电费就是一笔极为可观的数目。第三个维度是NAND接口速率的提升，从第八代的水平一跃提升到了4.8Gb/s，相比上一代产品提升了33%。接口速率的提升意味着闪存颗粒和主控芯片之间的数据通道更宽了，能够更快地把数据从存储阵列搬运到主机系统，从而缩短IO延迟，提升整体系统性能。4.8Gb/s这个数字看似抽象，但它直接决定了高端企业级SSD的顺序读写吞吐上限，是整颗SSD性能表现的关键瓶颈之一。

铠侠的首席技术官Hideshi Miyajima，也就是宫岛秀司，在发布会上说了这样一段话："随着AI持续推动社会的进步，AI的应用正在从生成式AI扩展到基于代理的AI和实体AI，与此同时，数据的使用方式也变得越来越多样化和精细化。通过利用铠侠久经验证的存储单元技术，结合最新的CMOS技术，铠侠正在加速开发第九代闪存存储器。这种方法使我们能够在保持投资成本相对较低的同时，提供高性能。"这段话里面有几个信息点值得展开说一下。宫岛提到的"基于代理的AI"指的是能够自主执行任务的AI系统，比如自动化客服机器人、智能调度系统；"实体AI"则指的是能够与物理世界交互的AI系统，比如自动驾驶汽车、机器人、无人机。这两种新兴的AI形态对存储的需求比传统的生成式AI更加苛刻——它们不仅需要处理海量的训练数据，还需要在边缘端实时存储和处理传感器数据，这对存储的容量、速度和耐久度都提出了更高的要求。宫岛秀司这番话的深层含义在于，铠侠清楚地意识到AI的形态正在发生分化，单一的存储方案已经无法满足所有AI工作负载的需求，因此铠侠选择了一条"以成熟存储单元技术为根基、用最新CMOS技术做加速器"的务实路线，这条路线的最大好处就是能够在控制投资风险的前提下，快速响应市场。在NAND行业资本开支强度创历史新低、厂商不再疯狂扩产的大背景下，这种"不靠堆砌层数、靠架构创新挖潜"的思路，无疑是一种更为聪明的玩法。

闪迪的首席技术官Alper Ilkbahar也在发布会上发表了看法："AI的快速普及正在加速存储接口的转型，创造出对能够比以往技术周期更快演进的存储存储器的需求。我们的第九代QLC技术展示了CBA架构独特的灵活性，通过独立推进CMOS技术和存储单元技术来加速创新。我们正在以卓越的资本效率，更快地将新能力推向市场。"Ilkbahar这段话的核心观点是，CBA架构让铠侠和闪迪能够把CMOS逻辑电路的升级和存储单元阵列的升级解耦开来，各自独立演进，从而缩短整体的技术迭代周期。在过去，NAND闪存的升级往往需要同时改进存储单元和逻辑电路，牵一发而动全身，开发周期很长。现在有了CBA架构，两家公司可以在不改变存储单元阵列的前提下，单独升级CMOS逻辑电路来提升接口速率和能效，也可以在保持CMOS逻辑电路不变的情况下，优化存储单元阵列来提升存储密度和耐久度。这种灵活性使得他们能够更快地响应市场需求，同时保持较高的资本效率。Ilkbahar特意强调了"比以往技术周期更快演进"，这句话背后的行业背景是：在AI时代，存储技术的迭代速度已经被AI工作负载的需求倒逼着不断加快，过去NAND闪存行业大致遵循三年左右一代的演进节奏，而现在这个节奏正在被压缩，谁能更快地推出新一代产品，谁就能吃到AI基础设施建设的红利。在市场层面，闪迪的股价表现也印证了投资者对这种技术路线的认可——自2025年2月作为独立上市公司重返市场以来，闪迪股价飙升超过3400%，2026年年内涨幅超过400%，在2026年8月12日发布第九代QLC技术当天，闪迪股价一度跳涨近10%，市值达到约1810亿美元，这种资本市场的热烈反应，本质上是对"CBA架构+QLC+AI基础设施"这一技术商业逻辑的用脚投票。

铠侠和闪迪这次联合推出第九代QLC 3D闪存存储器技术，标志着3D闪存技术路线图演进过程中的一个重要里程碑，同时也凸显了两家公司之间合作关系的持续稳固。通过最大化CBA平台的灵活性，铠侠和闪迪正在为NAND闪存创新创造新的机遇，并帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。从产业格局的角度来看，这次发布还有另一层深意——铠侠和闪迪虽然在品牌上是两家独立的公司，但在NAND闪存技术的研发和生产上一直保持着深度的合作关系，双方共享大量的技术专利和制造工艺。这次第九代QLC技术的联合发布，再次证明了这种合作模式的生命力，也为整个NAND闪存行业树立了一个通过合作实现技术突破的范例。在当前这个节骨眼上，NAND闪存行业的竞争异常激烈，三星、SK海力士、美光等头部厂商都在紧锣密鼓地布局下一代闪存技术，三星在FMS 2026上展示了超过400层堆叠的V10 V-NAND，SK海力士展示了375层的V10 4D NAND并计划2027年初量产，铠侠和闪迪选择并肩作战，实质上是在用一种"抱团取暖"的方式提升整体竞争力，这种策略在资本开支巨大的NAND行业里是一种极为务实的选择。值得一提的是，就在2026年8月4日的FMS 2026大会上，铠侠和闪迪已经率先展示了第十代BiCS10 QLC NAND，拥有332个有源层，面密度达37Gb/mm²，接口速率4800MT/s，而本次发布的第九代产品则是在现有第八代2Tb QLC存储阵列平台的基础上，通过引入更先进的CMOS晶圆和6-plane架构来实现性能跃升，两者形成了清晰的产品梯队：第十代负责"堆层数、提密度"，第九代负责"在成熟阵列上提速度、提能效"，这种双线并进的策略让铠侠和闪迪在不同客户、不同应用场景中都能精准卡位。

咱们再来深入探讨一下这项技术在实际应用场景中的价值。以AI大模型训练为例，训练一个千亿甚至万亿参数级别的大模型，通常需要在数千块GPU组成的集群上进行数周到数月不等的时间。在这个过程中，训练程序会定期保存检查点文件，以防止训练中断后从头来过。这些检查点文件的体积动辄几百GB甚至数TB，而且写入频率很高，对存储系统的写入带宽和容量都提出了极高的要求。如果用传统的TLC SSD来承载这些检查点写入，成本会非常高昂；如果用HDD来承载，写入速度又跟不上GPU的计算速度，会造成GPU空闲等待。第九代QLC闪存凭借6-plane架构带来的高写入带宽和4.8Gb/s的高速接口，能够在成本和性能之间找到一个更好的平衡点，让AI训练集群的存储层不再成为瓶颈。另一个典型的应用场景是内容分发网络和视频流媒体平台。这些平台需要存储海量的视频文件，而且大部分是读取操作，写入操作相对较少。QLC闪存的高存储密度和低成本特性，使得它非常适合用于这类读取密集型场景。第九代QLC在读取带宽和能效上的改善，能够进一步提升CDN节点的服务能力和降低运营成本。再往大了说，随着实体AI和端侧AI的兴起，未来的智能汽车、人形机器人、智能摄像头等设备，都会产生海量的数据需要在本地进行存储和预处理，这些设备对存储的密度、成本、功耗都有着严苛的要求，第九代QLC闪存的出现，恰好为这些新兴场景提供了一个极具吸引力的存储选项。根据摩根士丹利测算，SSD渗透率每提升1个百分点，就将为NAND行业带来约20亿美元的增量收入，而目前SSD在"业务关键型"存储领域的渗透率仅为19%，这意味着QLC SSD替代HDD的空间巨大，第九代QLC技术的问世恰逢其时。

对于消费者市场而言，第九代QLC闪存的问世也意味着未来几年内大容量消费级SSD的价格有望进一步下探。目前市面上主流的2TB和4TB SSD大多采用TLC闪存，每TB价格仍然处于相对高位。随着第九代QLC闪产量产并逐步应用到消费级产品中，我们有理由期待8TB甚至16TB的消费级SSD以更具竞争力的价格出现在市场上。对于那些需要大量存储空间的用户——比如视频创作者、摄影师、游戏玩家——这无疑是一个好消息。当然，QLC闪存的写入寿命问题仍然是消费者需要关注的焦点，但随着技术进步和主控算法的优化，第九代QLC在耐久度上相比早期QLC已经有了明显的改善，对于大多数日常使用场景来说已经足够。需要提醒各位的是，从铠侠和闪迪这次发布第九代QLC技术，到实际搭载这项技术的消费级SSD摆上货架，中间还需要经历控制器适配、固件开发、产品验证、量产爬坡等多个环节，这个过程通常需要一定的周期，各位如果正打算入手大容量SSD，可以根据自己的实际需求来决定是现在出手还是再等一等。从供应链节奏来看，闪迪已经表明第九代QLC技术将面向Stargate企业级SSD平台，主要针对AI数据中心冷存储层和高容量存储工作负载，消费级产品的铺货时间可能会在企业级产品之后，这是存储行业的惯例，大家心里要有个数。

最后咱们来做一个全面的复盘和展望。今天这篇文章的核心信息可以归纳为以下几个要点。第一个要点是，铠侠公司和闪迪公司在2026年8月12日联合发布了第九代高性能2Tb QLC 3D闪存存储器技术，Windows Latest在2026年8月12日同步刊发了这篇报道。铠侠是铠侠控股株式会社的子公司，在东京证券交易所的股票代码是285A；闪迪在纳斯达克交易所的股票代码是SNDK。这项新技术的核心目标是为了支撑AI驱动型基础设施日益增长的存储需求，展示架构创新如何帮助存储以AI工作负载所需的高速节奏向前推进，同时支持更具资本效率的制造方式。第二个要点是，这项新技术沿用了铠侠和闪迪联合开发的CBA架构，也就是CMOS直接键合到存储阵列技术，将先进的CMOS晶圆与久经验证的存储阵列平台结合在一起，再加上重大的设计和器件创新，实现了性能提升，并能够更快地将先进的存储解决方案部署到云端和数据密集型应用中。第三个要点是，相比上一代第八代2Tb QLC，第九代2Tb QLC在三个维度上实现了显著提升：得益于6-plane架构和性能增强措施，写入和读取带宽得到了提升；写入和读取能效也得到了改善；NAND接口速率达到了4.8Gb/s，相比第八代产品提升了33%。第四个要点是，铠侠首席技术官宫岛秀司在发布会上表示，AI的应用正在从生成式AI扩展到基于代理的AI和实体AI，数据使用方式变得更加多样化和精细化，铠侠通过利用久经验证的存储单元技术与最新的CMOS技术相结合，正在加速开发第九代闪存，在保持投资成本相对较低的同时提供高性能。第五个要点是，闪迪首席技术官Alper Ilkbahar在发布会上表示，AI的快速普及正在加速存储接口的转型，第九代QLC技术展示了CBA架构独特的灵活性，通过独立推进CMOS技术和存储单元技术来加速创新，以卓越的资本效率更快地将新能力推向市场。第六个要点是，第九代QLC 3D闪存存储器技术的发布标志着3D闪存技术路线图演进过程中的一个重要里程碑，凸显了铠侠和闪迪之间合作关系的持续稳固，通过最大化CBA平台的灵活性，两家公司正在为NAND闪存创新创造新的机遇，并帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。

展望接下来的走势，我觉得可以从几个不同的角度来审视这项技术的行业影响和市场前景。对于正在规划AI基础设施采购的CIO和IT架构师来说，第九代QLC闪存的问世意味着在冷热分层存储架构中，热层和温层的分界线可能会发生变化——过去只能用TLC闪存承载的性能敏感型工作负载，现在有可能用成本更低的QLC闪存来承载，前提是工作负载的写入频率在QLC的耐久度承受范围之内。对于消费级SSD市场来说，第九代QLC的量产将推动大容量SSD的每GB成本进一步走低，8TB甚至16TB的消费级SSD有望在未来进入更具竞争力的价格区间，这对于视频创作者、游戏玩家和数据囤积爱好者来说是一个值得期待的趋势。对于铠侠和闪迪两家公司自身来说，在NAND闪存行业竞争日趋激烈的背景下，通过联合发布第九代QLC技术来展示CBA架构的独特优势和合作模式的创新能力，有助于巩固他们在企业级和云存储市场的地位，也为接下来的第十代BiCS10以及更长远的技术路线打下了基础。从更宏观的产业视角来看，NAND行业正在经历从"单纯追求堆叠层数"向"结构、制程、电路及控制器的整合优化"的深刻转型，通道孔蚀刻、晶圆键合、QLC效能与耐用度成为新一代技术瓶颈，未来每GB NAND成本不再单纯取决于堆叠层数，而是由完成晶圆成本、良品裸晶数及有效可售容量共同决定，铠侠和闪迪的CBA架构恰恰是这一产业转型的技术先锋。据TrendForce等机构预测，2026年第三季度整体NAND合约价格仍将上涨约10%至15%，AI基础设施需求的结构性紧张局面短期内难以缓解，这为第九代QLC技术的商业化落地提供了极为有利的市场窗口。

各位正在为AI训练集群做存储方案选型的基础架构工程师、各位正在关注下一代大容量消费级SSD何时铺货的数码爱好者、各位对NAND闪存技术演进感兴趣的存储发烧友，铠侠和闪迪这次联合推出的第九代2Tb QLC 3D闪存技术，值得你们花时间去深入研究一下它的技术白皮书和后续的量产计划。对于企业用户来说，可以重点关注这项技术在写入带宽和耐久度上的实际表现是否能够满足AI训练检查点写入的需求；对于消费级用户来说，可以密切关注搭载第九代QLC闪存的SSD产品何时上市、价格如何定位。在AI时代存储需求爆炸式增长的大背景下，QLC闪存正在从一个"廉价但低速"的边缘角色，逐步转变为一个"兼顾容量、成本和性能"的主流选择。铠侠和闪迪这次的第九代产品，凭借6-plane架构、4.8Gb/s接口速率、33%的速率提升，以及CBA架构带来的资本效率优势，无疑会加速这一转变的进程，也让我们对接下来NAND闪存行业的竞争格局多了一份期待。各位在做采购决策时不妨把第九代QLC技术作为一个重要的评估选项纳入短名单，但同时也要清醒认识到，从技术发布到实际可采购的、搭载该颗粒的成品SSD之间还存在一定的时间差，企业级产品预计将先于消费级产品面市，各位要根据自身项目的实际时间窗口来权衡是采用现有第八代QLC方案先行部署，还是等待第九代QLC成品上市后再做大规模采购，这个决策窗口期的把握，往往决定了整个存储基础设施投资回报率的高低。