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SD8666QS内置MOS 多协议旅充快充方案

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发表于 2019-8-29 11:15:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
12v3a多协议旅充快充全套解决方案,包括原边PWM控制芯片SDH8666Q,同步整流控制芯片SD8510和协议芯片SD8605SDH8666Q采用EHSOP5贴片封装,内置高压启动功能和高压Super Junction MOS,12v3a多协议旅充快充全套解决方案支持30W快充应用,SD8605在上一代协议IC SD8602Q基础上内置了负载隔离管,提高了系统集成度,降低了外围器件数量该方案支持PD/QC/FCP/SCP等多协议。
SDH8666Q产品特点:
SSR架构芯片,工作于CCM/DCM/QR模式
● 内置高压启动,待机功耗<40mW
● 内置650V高压DPMOS
● 改善的抖频方式,有效降低EMI
VCC HOLD功能,防止轻载或动态切换时芯片欠压重启
Brown in/out,输出二极管短路保护等完善的保护功能
EHSOP5贴片封装
SDH8666Q系列产品EHSOP5优势突出:
1、产品采用自有EHSOP5贴片封装,更适于自动化生产;
2、封装厚度仅为1.6mm,是TO252封装的2/3,对外壳温升影响更小;
3Rthja60/W,与TO252相当,而Rthjc仅为1.05/W,是TO252封装的1/2,更有利于散热。
SDH8666Q系列内置大功率MOSFETSSR反激电源管理芯片,是新一代SSR反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等

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发表于 2019-8-29 14:53:23 | 显示全部楼层
第一次见这种封装的芯片
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发表于 2019-8-29 19:53:53 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
有点意思,哈哈,长得挺可爱
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发表于 2019-8-29 20:10:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 myd23 于 2019-8-29 20:11 编辑

就是把初级各种原件(也包含次级的稳压部分)集成到一块IC上了。不知道说什么,好还是不好呢?
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发表于 2019-8-29 20:31:11 | 显示全部楼层
myd23 发表于 2019-8-29 20:10
就是把初级各种原件(也包含次级的稳压部分)集成到一块IC上了。不知道说什么,好还是不好呢? ...

哪里有集成,明明电路图上还有副边电压反馈电路
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发表于 2019-8-29 21:11:05 | 显示全部楼层
同质化那么严重,没看见有什么不可取代的优势。那我干嘛不选TI,LT这些巨头的稳定方案而选择名不见经传的国产品牌?显然前者质量更加令人放心。
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发表于 2019-8-30 14:17:04 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
wulishui 发表于 2019-8-29 20:31
哪里有集成,明明电路图上还有副边电压反馈电路

你说的对。
原来之前没仔细看,次级的431和光藕都在
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发表于 2019-9-2 11:11:55 | 显示全部楼层
aacyxjz 发表于 2019-8-29 19:53
有点意思,哈哈,长得挺可爱

并非他家首创,在别家的方案中早看到了,好象是南芯吧?搞忘记了。
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