台积电此前已公布路线图与最新进展,A16(1.6nm)制程工艺预计将于2026年下半年量产,将搭载先进的背面供电(Backside Power Delivery)技术,台积电称其为“超级供电轨”(Super Power Rail),可以提升芯片能效表现。
据中国台湾业界消息,台积电并没有为A16制程准备High-NA(高数值孔径)EUV光刻机,而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下,英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。
关于背面供电技术,英特尔原本计划在20A(2nm)制程导入,称其为“Power Via”,但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN,根据早些时候消息,三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。