对SSD的4CH 2CE\2CH 4CE的速度差别亲测结果，顺便否定CH越多，速度越快的谬论

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 00:24:36

本帖最后由技术宅小唐于 2019-7-19 11:32 编辑

最近在SSD板块有一位坛友提出了疑问：关于往ssd板子上贴闪存的顺序关于往ssd板子上贴闪存的顺序https://www.mydigit.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=56945
(出处: 数码之家)

为了验证SSD的4CH 2CE\2CH 4CE的速度差别，为大家解疑，顺便打破 CH越多，速度越快的谬论（非单通道的情况下）
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为了保证测试的严谨性，

我会使用同样的PCB，同样的DDR缓存，同型号的NAND Flash颗粒，

同一个版本的慧荣的公版量产固件和相同的量产设定、

用同一台电脑的南桥直出SATA3 6Gbps接口，和同一根SATA 15PIN供电线，

还有同一个版本的跑分工具
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使用的SSD：慧荣2246EN 8贴公版PCB， 128MB缓存
使用的闪存：intel 29F64B08NCNF2，64GB 4CE 双IO
选用这个L95B的颗粒的原因：测试颗粒是L95B 4CE  双IO，这个料号颗粒单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），算是速度比较慢的颗粒，因为单颗跑不满SATA 6Gbps的带宽，比较好的证明单片和两片的区别

如果用东芝0DDL一类颗粒，不论2CH 4CH，只要8个CE直接就跑满2246EN的带宽，那么就没办法体现双通道和四通道的区别了
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因为没有对应的两个成品，所以要搬板：

左边的还要拆掉F9  、右边的是已经焊好的成品，
焊接过程略

慧荣2246EN Q0824版工具

这是4通道，每个通道2CE

这是2通道，每个通道4CE

开卡参数设定，为方便区分，我只修改了SSD名字

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开卡过程略，话不多说，看结果
...............

两个空盘，注意都是 GPT分区

除了名字不一样外，其它都一样，分别是4CH 2CE  和2CH 4CE

跑分基本都跑到了500读160写，如果是双通道，那么在2246EN上面的结果应该为读280写70、贴F1 F2实际是读500写160，也就是说这两片颗粒都处在双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、读取和写入都没有出现翻倍的情况，得分差距小于50、基本可以说没什么差别、

多跑几次分，分数会更平均一些、

如果硬要说有差别，那就有差别吧

END

题外话：其实四通道八通道只是主控商的一种广告噱头，没有说4通道就一定比双通道快的说法，通道多只代表能支持更多的CE，也就能做更大的容量、
AS2258（TH9530）这个是2-CH的主控，但是这个主控配合TLC和固件，却能跑出1000+分

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 10:25:48

袁博1 发表于 2019-7-19 09:31
看颗粒本身体质了，举个例子，比如某个颗粒，忽略ce数问题，单颗就能跑满主控的全部带宽，那么你无论 ...

你不要装逼吹牛
1.东芝的量产序列里面有没单片8CE的 0DDK 这个料号，DDK这个工艺制程的全是BGA132脚，东芝自己做8CE片子的只会用BGA272，你最好发个照片上来说明真的是不是有这个0DDK
2.慧荣公版的4CE双贴是贴F1 F2、F1 F9、公版的8CE双贴也是F1 F9、你贴到F5是为何？那我就当你是非公版，如果不是慧荣公版，没有可比性

3.我的测试颗粒是L95B 4CE 双IO，这个料号颗粒单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），如果是双通道，那么在2246EN上面的结果应该为读280写70、贴F1 F2实际是读500写160，也就是说这两片颗粒都处在双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 10:27:41

perter 发表于 2019-7-19 07:46
还有很早就有大神认为ce越多闪存速度越快，我当时就否认了，其实也是这个道理，以前闪存带宽充足的情况下多 ...

我的测试颗粒是L95B 4CE 双IO，这个料号颗粒单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），如果是双通道，那么贴F1 F2在2246EN上面的结果应该也为读280写70、实际是读500写160，也就是说这两片颗粒都处在双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 11:23:10

袁博1 发表于 2019-7-19 10:35
你没见过不代表没有，手上颗粒就是0DDK BADE BGA272封装，我用的是转接贴焊的，不过我的贴的位置描述有 ...

不说那么多，你把颗粒完整料号报上来，就是你说的0DDK8CE BGA272 的型号

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 11:37:58

袁博1 发表于 2019-7-19 11:23
应7楼群友的要求，上传0DDK芯片照片，完整型号是TH58TET0DDKBAEG

那么问题来了，toggle同步模式对多CH读写的特性是否和ONFI同步模式多CH读写特性一致？
还有，BAEG是4-CH

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 12:56:05

本帖最后由技术宅小唐于 2019-7-19 13:03 编辑

perter 发表于 2019-7-19 12:40
你要明白限制因素是很多的，用一种颗粒不能说明问题，而且下面有坛友指出了你这芯片本来频率就比较高，速 ...

这单片双通道的闪存读280写60，怎么就能把主控喂饱了？
前面我说了，这颗粒上双通道的IS903读270写70，
如果在2246EN以2通道工作的时候，单贴也是读270写70左右（可能略高），那双贴后的读写速度要么是R500W70要么是R270W160，或者R270 W70不变（每片闪存出一个通道给主控）
实际2CH跟4CH一样都是R500 W160、说明就算是2-CH模式下双贴的2 IO颗粒，主控只提供了双通道，但是每一片颗粒都是工作在双通道模式下的，所以读写会叠加、自然就否定了4CH更快的说法

上面一个兄弟给出了东芝8CE 4CH转成2CH的然后双贴的跑分，说实话我看着就像闪存工作在单通模式了，每个闪存只出了一组IO给主控

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 13:18:49

本帖最后由技术宅小唐于 2019-7-19 13:20 编辑

zhuyimin 发表于 2019-7-19 13:03
首先确认是否在两个通道内。不光看display all flash ID，还要看flash diagnosis里面是否相同。

这就有个问题了，
主控2CH，颗粒也是2CH的同步颗粒，那么双贴了之后，就会有几种情况：
贴一片的时候，显示2CH 2CE，读300写80、肯定是双通道模式
你贴两片的时候，显示2CH 4CE，读300写140、写入翻倍，读取没翻倍，说明两片颗粒都工作在双通道模式了，不然写入只有一颗读写的速度
我贴两片的时候，显示2CH 4CE，读500写160、读取和写入都叠加

我有点迷...为啥你们测的结果是写入翻倍，读取不翻倍？
原因：非公版？固件？闪存同步模式？

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 14:34:33

zhuyimin 发表于 2019-7-19 13:27
要看flash diagnosis里面是否相同。有的板子是CH a/b/c/d CE0/1,有的板子是CH a/b CE0/1/2/3。都是8CE， ...

TSOP只有一组IO，8DDLTA20单贴占用一个CH的，BGA132 136 152有两组IO，单贴会显示占用2个CH（一组IO的会显示占用1个CH）

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 16:58:48

zhuyimin 发表于 2019-7-19 15:54
9EDJ和OCMFP都可以开出8CE。OCMFP是明着开，9EDJ是暗着开。9EDJ需要到flash diagnosis页面才会显示有8CE。 ...

哦，那是每个Die的坏块分布

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-19 19:16:57

zhuyimin 发表于 2019-7-19 17:22
我一直想看你那边flash diagnosis的状态，省的我贴闪存。

晚一点上图

技术宅小唐 · 发表于 2019-7-20 00:05:20

本帖最后由技术宅小唐于 2019-7-20 10:42 编辑

perter 发表于 2019-7-19 20:40
注意我在后面有个括号，你把固件喂饱了也有可能，特别是903.不同固件速度差异大着呢，颗粒的极限速度就像 ...

不要抬杠子，内部交错默认都是打开的，要开全开要关全关，最后结果都是一样的、原来的讨论是4CH快还是2CH快，你现在说开了交错会导致变量，交错是给1CE多Die和F用的，可以对多个Die同时操作，可是实际使用默认就是开交错，只要不超32Die默认就是全交错，可超过了32die的情况肯定就不止2CH了，那么说关交错还有什么用？一定要找点什么问题说明我的测试不严谨
无非就是想证明你们空口而出的观点是对的罢了、
本人亲自测试，至少在2246EN上面可以说明，L95的4CE同步模式颗粒双贴2CH 4CH都一样快