对SSD的4CH 2CE\2CH 4CE的速度差别亲测结果，顺便否定CH越多，速度越快的谬论

技术宅小唐

最近在SSD板块有一位坛友提出了疑问：关于往ssd板子上贴闪存的顺序关于往ssd板子上贴闪存的顺序https://www.mydigit.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=56945
(出处: 数码之家)

为了验证SSD的4CH 2CE\2CH 4CE的速度差别，为大家解疑，顺便打破 CH越多，速度越快 的谬论（非单通道的情况下）
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为了保证测试的严谨性，

我会使用同样的PCB，同样的DDR缓存，同型号的NAND Flash颗粒，

同一个版本的慧荣的公版量产固件和相同的量产设定、

用同一台电脑 的南桥直出SATA3 6Gbps接口，和同一根SATA 15PIN供电线，

还有同一个版本的跑分工具
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使用的SSD：慧荣2246EN 8贴公版PCB， 128MB缓存
使用的闪存：intel 29F64B08NCNF2，64GB 4CE 双IO
选用这个L95B的颗粒的原因：测试颗粒是L95B 4CE  双IO，这个料号颗粒 单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），算是速度比较慢的颗粒，因为单颗跑不满SATA 6Gbps的带宽，比较好的证明单片和两片的区别

如果用东芝0DDL一类颗粒，不论2CH 4CH，只要8个CE直接就跑满2246EN的带宽，那么就没办法体现双通道和四通道的区别了
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因为没有对应的两个成品，所以要搬板：

左边的还要拆掉F9  、右边的是已经焊好的成品，
焊接过程略


慧荣2246EN Q0824版工具





这是4通道，每个通道2CE



这是2通道，每个通道4CE




开卡参数设定，为方便区分，我只修改了SSD名字

...............
开卡过程略，话不多说，看结果
...............



两个空盘，注意都是 GPT分区


除了名字不一样外，其它都一样，分别是4CH 2CE  和2CH 4CE




跑分基本都跑到了500读160写，如果是双通道，那么在2246EN上面的结果应该为读280写70、贴F1 F2实际是读500写160，也就是说这两片颗粒 都处在 双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、读取和写入都没有出现翻倍的情况，得分差距小于50、基本可以说没什么差别、

多跑几次分，分数会更平均一些、

如果硬要说有差别，那就有差别吧

END

题外话：其实四通道八通道只是主控商的一种广告噱头，没有说4通道就一定比双通道快的说法，通道多只代表能支持更多的CE，也就能做更大的容量、
AS2258（TH9530）这个是2-CH的主控，但是这个主控配合TLC和固件，却能跑出1000+分

wulishui

我专门对比过，还是SLC，速度没区别。

perter

不能说是谬论，只能说这句话是有前提条件的，但是我们大家一般都忽略了前提条件，已知的影响因素在闪存端有:本身通道数，接口带宽，die数量，ce数量，同步/异步工作模式，die速度等;主控端对应也有主控通道数，接口带宽，固件速度，固件策略，主控算力之类的因素，不提这些前提就是耍流氓，把这些展开讲每一种因素都是长篇大论，但是有个很好的例子，闪存相当于自来水公司的蓄水池，主控相当于你们家水龙头，从自来水公司到你家的出水速度取决于这之间最细的瓶颈，你换一个超大的水管，市政管网很细你就没脾气;你申请了粗管子，换了大水龙头，可是碰上枯水期自来水公司没水了你也没脾气。。。。

perter

还有很早就有大神认为ce越多闪存速度越快，我当时就否认了，其实也是这个道理，以前闪存带宽充足的情况下多个ce交错读写充分利用了带宽所以给人的感觉是假如入1ce就能50MB，2ce就能到90，但是如果达到了接口带宽速度就上不去了。。。所以我个人一直的观点是尽量让ch和ce的比值小时候是最佳的（虽然也不完全准确但是是最稳妥的）

袁博1

:lol:看颗粒本身体质了，举个例子，比如某个颗粒，忽略ce数问题，单颗就能跑满主控的全部带宽，那么你无论贴几颗，贴哪里，最后都是主控的全部带宽。
如果一个颗粒，它最大100M写，200M读，，那么贴4颗，如果只贴1,2通道，出来就是写200M，读400M，但是如果4个通道都贴，就能写400M，读500M

我自己亲测，手上颗粒，0DDK，8ce颗粒，两颗，贴F1，F5，，出来就是一二通道ce全满，3.4通道全空，写290，读320。但是我贴F1,F9，等于是4个通道每个通道的前4个ce，，就能到达写420M，读480M的速度，，
这个例子就能说明通道数和速度的影响。

楼主用的这种速度的颗粒，没有任何意义。要找单颗200M写速度的就很容易说没问题了

bass

这是高手，支持下

技术宅小唐

袁博1 发表于 2019-7-19 09:31
看颗粒本身体质了，举个例子，比如某个颗粒，忽略ce数问题，单颗就能跑满主控的全部带宽，那么你无论 ...

你不要装逼吹牛
1.东芝的量产序列里面有没单片8CE的 0DDK 这个料号，DDK这个工艺制程的全是BGA132脚，东芝自己做8CE片子的只会用BGA272，你最好发个照片上来说明真的是不是有这个0DDK
2.慧荣公版的4CE双贴 是贴F1 F2、F1 F9、公版的8CE双贴也是F1 F9、你贴到F5是为何？那我就当你是非公版，如果不是慧荣公版，没有可比性

3.我的测试颗粒是L95B 4CE  双IO，这个料号颗粒 单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），如果是双通道，那么在2246EN上面的结果应该为读280写70、贴F1 F2实际是读500写160，也就是说这两片颗粒 都处在 双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、

技术宅小唐

perter 发表于 2019-7-19 07:46
还有很早就有大神认为ce越多闪存速度越快，我当时就否认了，其实也是这个道理，以前闪存带宽充足的情况下多 ...

我的测试颗粒是L95B 4CE  双IO，这个料号颗粒 单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），如果是双通道，那么贴F1 F2在2246EN上面的结果应该也为读280写70、实际是读500写160，也就是说这两片颗粒 都处在 双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、

袁博1

技术宅小唐 发表于 2019-7-19 10:25
你不要装逼吹牛
1.东芝的量产序列里面有没单片8CE的 0DDK 这个料号，DDK这个工艺制程的全是BGA132脚，东 ...

你没见过不代表没有，手上颗粒就是0DDK  BADE   BGA272封装，我用的是转接贴焊的，不过我的贴的位置描述有问题，双通道贴的是F1,F2，4通道贴F1，F9，，板子上丝印比较混乱

winnercong

楼主你这个前提闪存频率足够高，4CE还没突破一个闪存通道的读写带宽极限；如果你把闪存频率设置到100MHz，2CH的读取速度还跑不满SATA3的带宽，写入也是一个道理～～

老闪存只能跑100Mhz，要4CH才能让读写跑满速，看老的大S颗粒标-10 -6的，新闪存很多能跑333MHz，标称-3.7ns的；所以现在低端sata主控2ch，高端4ch；NVME主控就有的4CH、8CH

小飞机DIY

:lol::lol:反正怎么说，有消费者买单就行了。。商家日常套路就是吹理论性能

技术宅小唐

袁博1 发表于 2019-7-19 10:35
你没见过不代表没有，手上颗粒就是0DDK  BADE   BGA272封装，我用的是转接贴焊的，不过我的贴的位置描述有 ...

不说那么多，你把颗粒完整料号报上来，就是你说的0DDK8CE BGA272 的型号

袁博1

应7楼群友的要求，上传0DDK芯片照片，完整型号是TH58TET0DDKBAEG




量产工具识别还是9DDK，实际上就是把两个9DDK封装在一个BGA272封装里面

技术宅小唐

袁博1 发表于 2019-7-19 11:23
应7楼群友的要求，上传0DDK芯片照片，完整型号是TH58TET0DDKBAEG

那么问题来了，toggle同步模式对多CH读写的特性是否和ONFI同步模式多CH读写特性一致？
还有，BAEG是4-CH

wulishui

袁博1 发表于 2019-7-19 09:31
看颗粒本身体质了，举个例子，比如某个颗粒，忽略ce数问题，单颗就能跑满主控的全部带宽，那么你无论 ...

那么，我想知道，2246单CH的带宽有多大？
我用的是镁光SLC NQ341，单颗4CE，单颗可以读400写200多。双贴，亲自试过4CEx2CH、2CEx4CH，速度都是读500写430多，评分毫无区别。这是不是可以说明，2246一个CH带宽满500没问题？

袁博1

技术宅小唐 发表于 2019-7-19 11:37
那么问题来了，toggle同步模式对多CH读写的特性是否和ONFI同步模式多CH读写特性一致？
还有，BAEG是4-CH ...

用了转接贴，实际上是4ch当2ch用了，两两并联

perter

wulishui 发表于 2019-7-19 11:42
那么，我想知道，2246单CH的带宽有多大？
我用的是镁光SLC NQ341，单颗4CE，单颗可以读400写200多。双贴 ...

你说的对也不对，22461ch速度理论上读写500对于主控是没问题的，但是苦于固件限制，有的颗粒真能上400+有的颗粒就很低，但是把相同颗粒挪到903上面会发现单通道写入并不低，还有一个例子，以前jmf和smi争霸时候毁容弄了个鸡血固件，跑ass写入速度能到490左右，上的jcne1芯片，但是普通固件包括新的固件上jcne没见过上480的，再新点的460就封死了。。。

perter

技术宅小唐 发表于 2019-7-19 10:27
我的测试颗粒是L95B 4CE  双IO，这个料号颗粒 单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），如果 ...

你要明白限制因素是很多的，用一种颗粒不能说明问题，而且下面有坛友指出了你这芯片本来频率就比较高，速度就比较快，一片芯片把主控（或者固件）喂饱了，自然失去了测试的意义

技术宅小唐

perter 发表于 2019-7-19 12:40
你要明白限制因素是很多的，用一种颗粒不能说明问题，而且下面有坛友指出了你这芯片本来频率就比较高，速 ...

这单片双通道的闪存读280写60，怎么就能把主控喂饱了？
前面我说了，这颗粒上双通道的IS903读270写70，
如果在2246EN以2通道工作的时候，单贴也是读270写70左右（可能略高），那双贴后的读写速度要么是R500W70要么是R270W160，或者R270 W70不变（每片闪存出一个通道给主控）
实际2CH跟4CH一样都是R500 W160、说明就算是2-CH模式下双贴的2 IO颗粒，主控只提供了双通道，但是每一片颗粒都是工作在双通道模式下的，所以读写会叠加、自然就否定了4CH更快的说法

上面一个兄弟给出了东芝8CE 4CH转成2CH的然后双贴的跑分，说实话我看着就像闪存工作在单通模式了，每个闪存只出了一组IO给主控

zhuyimin

首先确认是否在两个通道内。不光看display all flash ID，还要看flash diagnosis里面是否相同。