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[Indilinx] OCZ ARC 100 120G固态硬盘拆解

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发表于 2019-2-17 01:15:49 | 显示全部楼层
闪存数据库匹配信息【原厂资料】
闪存公司名称:TOSHIBA【东芝】 闪存芯片型号:TH58TEG7DDKBA4C  闪存芯片类型:NAND Flash
闪存存储密度:128Gbits=16GB  I/O接口位宽:×8bit 闪存生产工艺:A19nm【纳米】  
闪存存储单元:MLC  闪存工作电压:Vcc: 3.3V, VccQ: 3.3V/1.8V  封装类型:FBGA132 【球栅封装】
闪存芯片片选:2 闪存通道:2   闪存芯片特征:Toggle-DDR 同步【支持】异步【支持】
多晶片:是   块大小:4MB   企业级:否  闪存封装材料:RHOS【无铅,无卤素】 页大小:16KB 2pl
闪存芯片ID:98DE949376D0
支持的主控信息:
SM2244LT SM2246EN SM2246XT  IS903 IS917 JMF608 JMF670H   SF2241 SF2281 SF2141
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发表于 2019-4-8 21:01:59 | 显示全部楼层
alex000 发表于 2019-3-26 16:07
这个固态能改成U盘么?

闪存数据库匹配信息【原厂资料】
闪存公司名称:TOSHIBA【东芝】 闪存芯片型号:TH58TEG7DDKBA4C  闪存芯片类型:NAND Flash
闪存存储密度:128Gbits=16GB  I/O接口位宽:×8bit 闪存生产工艺:A19nm【纳米】  
闪存存储单元:MLC  闪存工作电压:Vcc: 3.3V, VccQ: 3.3V/1.8V  封装类型:FBGA132 【球栅封装】
闪存芯片片选:2 闪存通道:2   闪存芯片特征:Toggle-DDR 同步【支持】异步【支持】
多晶片:是   块大小:4MB   企业级:否  闪存封装材料:RHOS【无铅,无卤素】 页大小:16KB 2pl
闪存芯片ID:98DE949376D0
支持的主控信息:
SM2244LT SM2246EN SM2246XT  IS903 IS917 JMF608 JMF670H   SF2241 SF2281 SF2141
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