494升压电路求助

vsaciol

除共模磁环外，绝大多数磁环内部有非导磁物质如硅、铝、钼、无机粉末、有机粉末，自带均匀分布的气隙！除了开关频率应取在50kHz左右，推挽MOS理论耐压应高于2倍电源电压外：
1）此电路为推挽电路，如同所有正激类型拓扑一样，其双5：双10的拓扑主变压器理论上不得有任何气隙(实际上允许0.05mm左右)，因此变压器只能使用无气隙的高频铁氧体或者无气隙的高导共模纯绿环，绝对不可采用天生自带均匀气隙的绿蓝环或黄白环！
2）而20mH(若开关频率取50kHz，则0.5mH足矣)的拓扑电感的磁芯则刚好与1）相反，必须使用有(自带均匀分布式)气隙的绿蓝环或黄白环(铁氧体中柱磨约1mm缺口的集中分布式气隙也勉强可用)。
3）场管MOS1应同样S极接GND地。
4）按10k标识法推断此电路标识100为100欧勉强可用，但通常应为10欧。5）芯片自带的2个误差放大器通常需要接入反馈，否则电压不稳定。
BTW: 12V升24V使用罕见的抽头耦合电感型Boost最高效。也就是比常规Boost还高效，如下网摘电路供参考。

vsaciol

koakon 发表于 2019-2-27 09:52
非常感谢科普。
新手从基本入手学习下TL494经典电路。顺便学习下电感线圈变压器等基本常识。
boost的话MO ...

Boost的MOS理论耐压只要不低于输出即可，因此主板25-30V的MOS可用(业余制作裕量少也可将就)。黄白环电感可用于50kHz，绿蓝环电感可用于150kHz。

vsaciol

koakon 发表于 2019-3-6 08:36
我实际按照电路弄，变压磁环为初级4+4，次级8+8，实际带负载时候出来电压只有18.6V，占空比已经到了42%。 ...

TL494推挽模式达不到满占空比即50%且还有各种损耗，所以建议次级改为桥式整流或者增加匝数。
公式是正确的Vout=Vin*(n2/n1)*2D（忽略二极管压降后的理论值）。但是你可能把n2/n1匝比算错了。推挽后级的确是Buck，Buck本身公式是Vout/Vin=D。针对本帖，因你的次级使用双半波整流模式，所以次级/初级=8匝/4匝=2。也就代表着初级的12V仅等效于次级24V。终输出24V则意味着buck占空比必须100%(也即换算成推挽占空比必须50%，都是满占空比)。
黑色磁环，如果是共模电感拆下来的（通常共模电感是黑环刷纯绿漆），其固有气隙小，导磁率很高，通常没问题，可以用作主变压器磁芯。
要注意铁硅铝外观也是黑色的，其固有气隙大，如果是充电宝或者电源板次级拆下来的，就不可用做主变压器磁芯。用作本帖的拓扑电感则很好。
磁环温热问题不大，可能是体积不够大。

vsaciol

koakon 发表于 2019-3-7 11:39
感谢指导。N2:N1 匝数比是2的话。就是12V输入24V输出。占空比要单边50%才能达到这个比例。
我也提高了匝数 ...

电感的磁芯用绿蓝环是OK的，可能是感量不足导致。抽头耦合电感Boost的MOS和二极管耐压计算可参考：
https://wenku.baidu.com/view/27200dd6195f312b3169a538.html
你直接换用高耐压器件或大号的铁粉芯增加匝数试试。

vsaciol

koakon 发表于 2019-3-8 16:06
看到了这样的一篇文章。
http://wemedia.ifeng.com/29034288/wemedia.shtml
按照里面的推导，推挽式升压 ...

天下文章一大抄，要敢于合理怀疑，相信自己，不要乱了方寸。这个推挽公式是正确的Vout=Vin*(n2/n1)*2D（忽略二极管压降后的理论值）。
利用数学/物理老师经常教的特殊值法可以验算。试想你所提及的公式Vout/Vin=n/2(1-D)，如果D为0，Vout不会是0，这显然不可能的。
越简单越不容易出错，能用简单的buck等效的方式计算，没必要搞得那么复杂。