P16(6 ALE Feature)、P17(3B/3C)等SMI GPIO跳线解析

futurestar

闪存寻址主要有两种类型（就是来访问颗粒里的实际内容，逻辑单元内容），它们是分别是column address（列地址）和row address（行地址）。其中列地址用于访问Page内的字节（SSD中，严格来说是颗粒中页是最小操作单位。例如机械硬盘最小单位是扇区，Windows文件系统最小单位是簇，类似的意思），行地址用于访问页、块和LUN

不管是TLC模式寻址，还是SLC模式寻址（DDP、QDP、ODP、HDP），长江存储的颗粒就有Six Address的设计（同样的还有镁光的B27A、B37R等，实际上楼主说是B37R之后，但是B27A也是的）。也就是两个ColumnAddress（DQ0-DQ7，1个字节），四个Row Address，来进行寻址访问的也就是我们说的Six ALE。所以针对这类设计的存储颗粒，应该短接跳线Six ALE

例如东芝BiCS3，是用两个Column Address，三个RowAddress进行寻址访问。不过实际上不是Six ALE Feature设计的存储颗粒，短接了也能工作（例如2263XT主控），不过严谨态度下，还是不要短接

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futurestar 发表于 2023-2-9 10:36
闪存寻址主要有两种类型（就是来访问颗粒里的实际内容，逻辑单元内容），它们是分别是column address（列地 ...

NandFlash的寻址原理，这里说的比较详细一些

https://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3435595.html

实际上是5 ALE还是6 ALE，主要取决于厂商的设计，跟page、块大小，die数量这些都有关系。不是研发层面的基本不需要理会这些东西的。我们搞维修的，通常知道这个事就可以