MLC也翻车了！大家看看是不是没有救了，是颗粒挂了吗？

futurestar

zxc000ly 发表于 2019-5-24 16:38
简单介绍 NAND FLASH的ECC和PE之间的关系        复制这位高手的帖子：：beecoo
刚才看到论坛有人在问为 ...

认为认为ECC纠错bit与闪存的PE次数是没有什么关联的

不同颗粒的Block大小和SpareArea确实都不一样，即使同一品牌。SpareAera区域在我理解只是Page的隐藏区域，这个区域有很多作用你也说了，按照网上的资料，一般最主要作用就是ECC数据的存放

这个ECC数据存放，是硬件级的，就是主控在编程时把Page的内容用算法进行校验，得到的校验值写入到这个特定区域（类似于服务器RAID 5的校验机制，缺失数据后可以通过校验值进行算法操作后得到正确的数据内容）。这个ECC区域，在Sparearea里面大小也是不同的，例如Micron的颗粒Minimum required ECC是24bit

如果你颗粒足够好，板子也足够好，开卡时或RDT时选择的ECC并不会影响到颗粒的寿命，反而颗粒品质不行，需要动不动就使用ECC来进行纠错的颗粒，才会有寿命问题。但这个问题与ECC是没什么关系的

反正我手头基本都是东芝和镁光的颗粒。我镁光颗粒主要就是L85A，一般都是选择25（基本没用过的，我SSD进行RDT选择20的都有）正常使用没啥问题的

另外，到了3000PE也不是直接就坏，但有些颗粒还没到3000PE也会坏，这个跟板子也有关系，温度也有关系等。所以我认为这个ＥＣＣ的ｂｉｔ对颗粒的寿命有决定性影响的可能应该是不会存在的

等硬件或测试工程师出来说话吧，我也只一般的DIY爱好者而已