MLC也翻车了！大家看看是不是没有救了，是颗粒挂了吗？

xiaoyao2008 · 发表于 2019-5-24 00:07:51

本帖最后由 xiaoyao2008 于 2019-5-24 00:09 编辑

第一次做U盘，上车就翻了吗？板子大树的IS903 BGA316 单贴8CE，颗粒咸鱼200元淘的K9PHGY8S7C-CCK0。

MLC有新增坏块了！怎么办？片子扔了吗？

baibo · 发表于 2019-5-24 08:44:59

先检查手工啦，BGA316的颗粒不太好贴，加焊轻推一下，还这样试着换一块颗粒试试，不可能片片都坏吧。

原来这个给你买走了，哈哈，服务器拆机不太敢买，坏块多:titter:

zxc000ly · 发表于 2019-5-24 15:29:06

上个月我买了同款颗粒，比你这个强点，可量产，校验不通过。ecc慢扫，勉强用一片，其余都退货了:lol:

小飞机DIY · 发表于 2019-5-24 16:01:35

基本都是服务器玩坏的，最近大船下来的都是三送。好的清零卖，坏的颗粒卖

小飞机DIY · 发表于 2019-5-24 16:02:45

试试F9擦除看看了。不过这种坏块这么多擦了也没啥用，容易掉盘。可以找个低格工具试试。不过会降速

mao1990 · 发表于 2019-5-24 16:34:38

服务器玩坏的，我也有个，坏块很多，还会自己新增坏块，量产用了N种方式和固件才成功，实际上根本没法正常用

zxc000ly · 发表于 2019-5-24 16:38:39

简单介绍 NAND FLASH的ECC和PE之间的关系       复制这位高手的帖子：：beecoo
刚才看到论坛有人在问为什么nand flash的ECC不同时，PE次数也不同。
由于要解释的比较详细，希望对其他人也有帮助，就单独开帖。

首先，需要先了解一个nand flash非常重要的特性：
  擦写次数越多，出错的概率就越大，数据保存期就越短。
这个特性和nand flash的结构有关，这里就不解释了，可以当作经验或者定理来使用。

其次，我们来了解一下ECC：
   ECC就是“Error Correcting Code”的简写，使用ECC需要额外的空间来存放冗余数据，更高的ECC需要更多的冗余数据，比如24bits/1KB需要42bytes的冗余数据，40bits/1KB需要70个bytes的冗余数据。所以不同的flash，spare size的大小不同，最高可以用的ecc 比特数也不同。
      24bits/1KB ECC纠错时，1KB的数据，允许出错小于等于24bits，如果出错超过24bits，那么存放在flash里面的数据就没法正确的读回来了。同样的，40bits / 1KB ECC纠错时，允许出错的的比特数小于40bits。

东芝19nm nand flash，spare size足够大，可以使用40bits/1KB的ECC，由于有些主控不支持40bits /1KB的ECC，只有24bits/1KB，所以东芝就给出来两种ECC情况下的寿命数据，24bits/1KB ECC 纠错时可以有1000 PE次数，40bits/1KB ECC纠错时可以有3000 PE次数，在PE次数到时数据保存期为1年以上。
根据上面两点，我们可以这样理解：

1、24bits ECC纠错时，PE 次数到1000次时，数据存放1年后，1KB数据出错的比特数小于24.
2、40bits ECC纠错时，PE 次数到3000次时，数据存放1年后，1KB数据出错的比特数小于40.
3、24bits ECC纠错时，PE 次数大于1000次时，没法保证数据存放1年后，1KB数据出错的比特数小于24.
4、40bits ECC纠错时，PE 次数大于3000次时，没法保证数据存放1年后，1KB数据出错的比特数小于40.

看到这里，大家应该都知道了ECC和PE的之间的关系了。
只是知道还不够，应该还要用已经知道的去解释一些现象：

1、服务器级别的nand flash，标称的PE 次数会比普通产品高，原因在于标称的数据保存期是3个月，而不是1年。
2、U盘或者SD卡，flash的PE寿命可以到3000次，用老化测试软件读写测试时，PE 次数已经到3000次了，但是数据还不会出错，要等老化测试到5000 PE或者更高时，写入的数据，再读出时出现数据出错了。根据flash的特性，
不难理解，PE次数小于3000次时，数据保存期为1年以上，PE次数越大，保存期越短，当PE次数到5000或更高时，数据保持期就剩几秒了，也就是刚刚写入的数据，再读出时，数据已经出错很多，ECC已经不能纠错了。

wzcgx · 发表于 2019-5-24 20:26:32

先sorting后再开卡．慢扫后开，看这样行不行

wzcgx · 发表于 2019-5-24 20:27:04

不过你的ＣＥ读的不对，先检查焊接

xiaoyao2008 · 发表于 2019-5-24 20:56:22

wzcgx 发表于 2019-5-24 20:27
不过你的ＣＥ读的不对，先检查焊接

焊接了N遍了都是读了3CE

futurestar · 发表于 2019-5-24 20:57:18

zxc000ly 发表于 2019-5-24 16:38
简单介绍 NAND FLASH的ECC和PE之间的关系复制这位高手的帖子：：beecoo
刚才看到论坛有人在问为 ...

认为认为ECC纠错bit与闪存的PE次数是没有什么关联的

不同颗粒的Block大小和SpareArea确实都不一样，即使同一品牌。SpareAera区域在我理解只是Page的隐藏区域，这个区域有很多作用你也说了，按照网上的资料，一般最主要作用就是ECC数据的存放

这个ECC数据存放，是硬件级的，就是主控在编程时把Page的内容用算法进行校验，得到的校验值写入到这个特定区域（类似于服务器RAID 5的校验机制，缺失数据后可以通过校验值进行算法操作后得到正确的数据内容）。这个ECC区域，在Sparearea里面大小也是不同的，例如Micron的颗粒Minimum required ECC是24bit

如果你颗粒足够好，板子也足够好，开卡时或RDT时选择的ECC并不会影响到颗粒的寿命，反而颗粒品质不行，需要动不动就使用ECC来进行纠错的颗粒，才会有寿命问题。但这个问题与ECC是没什么关系的

反正我手头基本都是东芝和镁光的颗粒。我镁光颗粒主要就是L85A，一般都是选择25（基本没用过的，我SSD进行RDT选择20的都有）正常使用没啥问题的

另外，到了3000PE也不是直接就坏，但有些颗粒还没到3000PE也会坏，这个跟板子也有关系，温度也有关系等。所以我认为这个ＥＣＣ的ｂｉｔ对颗粒的寿命有决定性影响的可能应该是不会存在的

等硬件或测试工程师出来说话吧，我也只一般的DIY爱好者而已