2D MLC芯片单个Die最大容量有多少？

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闪存工艺降低到20nm左右时就不怎么提工艺了，技术转向3D闪存，转而追求堆叠层数。
三星830系列使用2D MLC颗粒，21nm工艺，32GB是8CE，16GB是4CE，8GB是2CE，因此单个Die容量为4GB。840系列开始就是使用TLC闪存了。
同样21nm工艺下，K9GCGD8U0A是1CE，8GB，因此2D MLC 21nm单个Die最大容量似乎就是8GB。1znm下面有16GB容量的单个Die容量。
东芝这边，15nm MLC比如9DDL，容量64GB，2CE，因此单个Die最大容量32GB。
其它家是否还有更大的2D MLC单个Die容量呢？

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eboy998 发表于 2023-10-1 09:34
你可能概念搞错了吧，TH58TFG9DDLTA2D 2DIE/CE 2CE,TH58TFG9DDLBA8C 1DIE/CE 4CE,2D MLC 单DIE最大容量16GB ...

两个闪存查询网站给出的 TH58TFG9DDLTA2D 信息都是2CE，2Die，截图如下，肯定是有人搞错了，当然一切以厂家Datasheet为准，欢迎提供Datasheet探讨。

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讨论单个Die最大容量，类似CPU的单核性能，反映了厂家的技术能力，还是蛮有价值的，欢迎大家补充。

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单个Die实际就是单个芯片，可以独立封装，而CE=Chip Enable，把多个Die封装到一颗芯片中，共享数据总线，通过CE管脚来使能对应的芯片，达到在一颗芯片中实现更大容量的目的。
多个CE可以增大容量，但是不能提高速度，因为同一时刻只能使能一个Die。而多个通道，则使用独立的总线，可以并行工作，既提高容量，又提高速度。
SSD主控中，多通道设计非常常见，而U盘中多通道就很少，有少数双通道的主控比如IS903/SM3280等。大部分都是单通道主控，1CE/4CE/8CE，基本上8CE就是上限了，大多U盘主控最大4CE。

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三星这边，SM963是少数2D和3D颗粒都在用的SSD，256GB版本使用的是两颗128GB的2D MLC，型号K9UKGY8SCE-DCK0，14nm 16CE，单Die尺寸容量8GB。830后续的840Pro也是MLC颗粒，封装已经升级到BGA316，32GB颗粒是4CE，64GB颗粒是8CE，因此单个Die容量还是8GB，看起来三星的2D MLC单个Die最大容量就是8GB。