铠侠开始出样第九代BiCS闪存512Gb TLC芯片，明年正式量产扛AI存储大旗

Meise · 发表于昨天 09:57

全球存储大厂铠侠（Kioxia）最近有新动作了——他们家第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术捣鼓出的512Gb三层存储单元（TLC）芯片，正式进入客户送样测试阶段。按计划，这东西会在2025财年（2025年4月-2026年3月）投入大规模量产。这批芯片专门对付那些容量要求不算顶天、但对性能和能耗特别挑剔的应用场景，未来还会塞进铠侠自家的企业级固态硬盘（SSD）里，重点服务那些为提升AI系统GPU效率而设计的存储方案。

铠侠这波操作背后有一套“双线并行”策略：

第九代产品线：靠CBA技术（将存储阵列直接键合到CMOS电路）打通任督二脉，把现有存储单元和最新CMOS技术捏在一起，实现高性能和低成本兼得；
第十代产品线：主攻堆叠层数升级，专为未来超大容量+超高性能需求铺路。

这次送样的512Gb TLC芯片可不简单——它在第五代BiCS技术基础上整了个120层堆叠架构，配上先进CMOS工艺。铠侠官方实测数据表明，对比自家前代同容量产品，性能直接跨代：

写入提速61%，数据灌入快如抽水机；
读取提速12%，调取文件更利索；
能耗暴降：写入省电36%，读取省电27%；
传输飙车：支持Toggle DDR 6.0接口，跑出3.6Gb/s的NAND接口速度；
密度加料：平面微缩技术让存储密度再挤进8%的提升。

不止这些，铠侠在实验室环境下把这货的接口速度飙到了4.8Gb/s（当然实际上市规格还得看市场反馈定）。这性能提升对下一代企业级SSD，尤其那些伺候AI算力集群的硬盘，简直是稳底盘的大杀器。

铠侠CEO Nobuo Hayasaka 放话，公司会继续拉着全球合作伙伴死磕技术，目标就一个：给客户塞进更猛、更省电、更对胃口的闪存方案。毕竟在医疗金融制造等各个领域都被AI深度渗透的背景下，存储速度和能效早就是卡脖子的硬指标。这第九代BiCS的落地，产品定位就是要在高性能存储赛道上再插一旗。