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[业界] 传HBM芯片通过英伟达测试,三星:消息不属实

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发表于 2024-7-4 15:22:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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7月4日,有消息称三星电子的HBM3E通过了英伟达的测试。三星随后表示否认,称这一消息“不属实”。
股市方面,截至上午9点20分,三星电子股价报84600韩元,较前一交易日上涨3.42%。
据一家媒体报道,三星电子通过了英伟达HBM3E质量测试(质量验证),预计很快将办理手续,正式开始量产供应HBM。
对此三星电子予以否认,并表示,“公司正在持续进行HBM3E质量测试,有关主要大客户通过质量测试的报道并不属实。”

此前在5月份,三位知情人士表示,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽存储(HBM)芯片未通过英伟达测试,该测试被迫暂停。但在2024台北国际电脑展上,英伟达CEO黄仁勋表示仍在认证三星公司的HBM内存,否认三星HBM因发热和功耗未通过英伟达测试。
市场对HBM的需求不断飙升。据市调机构TrendForce估算,三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片,预计到今年底前,HBM将占先进制程比例为35%,其余则用以生产LPDDR5(x)与DDR5产品。(校对/孙乐)


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