传HBM芯片通过英伟达测试，三星：消息不属实

刘绪刚

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7月4日，有消息称三星电子的HBM3E通过了英伟达的测试。三星随后表示否认，称这一消息“不属实”。
股市方面，截至上午9点20分，三星电子股价报84600韩元，较前一交易日上涨3.42%。
据一家媒体报道，三星电子通过了英伟达HBM3E质量测试（质量验证），预计很快将办理手续，正式开始量产供应HBM。
对此三星电子予以否认，并表示，“公司正在持续进行HBM3E质量测试，有关主要大客户通过质量测试的报道并不属实。”

此前在5月份，三位知情人士表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽存储（HBM）芯片未通过英伟达测试，该测试被迫暂停。但在2024台北国际电脑展上，英伟达CEO黄仁勋表示仍在认证三星公司的HBM内存，否认三星HBM因发热和功耗未通过英伟达测试。
市场对HBM的需求不断飙升。据市调机构TrendForce估算，三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片，预计到今年底前，HBM将占先进制程比例为35%，其余则用以生产LPDDR5（x）与DDR5产品。（校对/孙乐）